半导体装置结构的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置结构的形成方法被提供。此方法包括形成目标层于基板上，并且形成籽晶层于目标层上。此方法包括形成硬掩模层于籽晶层上，其中硬掩模层包括开口，以暴露出籽晶层的一部分。此方法包括形成导电层于开口中，其中导电层选择性地沉积于籽晶层上。此方法包括利用导电层作为掩模，以蚀刻目标层的一部分。

Method for forming structure of semiconductor device

A method of forming a semiconductor device structure is provided. The method includes forming a target layer on the substrate and forming a seed layer on the target layer. The method includes forming a hard mask layer on the seed layer wherein the hard mask layer includes an opening to expose a portion of the seed crystal layer. The method includes forming a conductive layer in an opening, wherein the conductive layer is selectively deposited on the seed layer. The method includes using a conductive layer as a mask to etch a portion of the target layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置结构，且特别涉及一种包括选择性沉积导电层的半导体装置结构的形成方法。
技术介绍
半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人电脑、行动电话、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用光刻工艺图案化上述各材料层，藉以在其上形成电路组件及元件。许多集成电路通常制造于单一半导体晶片上，且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个晶粒(die)单一化。上述各个晶粒通常分别地封装于，例如，多芯片模块中或其他类型的封装中。半导体制造技术包括许多的工艺，其中涉及复杂的物理和化学交互作用。光刻工艺是将掩模上的几何形状的图案转移到覆盖半导体晶片表面的感光材料(光致抗蚀剂)的薄层的工艺。随着特征尺寸缩小到越来越小的尺寸，光刻工艺逐渐成为集成电路制造工艺中更加敏感且关键的步骤。然而，目前仍有许多与光刻工艺相关的挑战存在。虽然现有的光刻工艺及制造半导体装置结构的方法已普遍足以达成预期的目标，然而仍无法完全满足所有需求。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种半导体装置结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一目标层于一基板上；形成一籽晶层于该目标层上；形成一硬掩模层于该籽晶层上，其中该硬掩模层包括一开口暴露出该籽晶层的一部分；形成一导电层于该开口中，其中该导电层选择性地沉积于该籽晶层的该部分上；以及利用该导电层作为一掩模，以蚀刻该目标层的一部分。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/062,7871.一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一目标层于一基板上；形成一籽晶层于该目标层上；形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王士玮，张家豪，罗文呈，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71