鳍式场效应晶体管结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极堆叠件和外延材料部分。所述衬底具有鳍和位于鳍之间的绝缘体，所述鳍包含沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分。所述至少一个栅极堆叠件设置在绝缘体和鳍的沟道部分的上方。所述外延材料部分设置于鳍的侧翼部分的上方和至少一个栅极堆叠件的两侧。设置在所述鳍的侧面上的所述外延材料部分互相隔离。本发明专利技术实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。

Fin type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Embodiments of the invention disclose a fin type field effect transistor comprising a substrate, at least one gate stack, and an epitaxial material portion. The substrate has fins and an insulator between the fins, which includes a channel portion and a flank portion located adjacent to the channel portion. The at least one gate stack is disposed over the trench portion of the insulator and fin. The epitaxial material portion is disposed over the wing portion of the fin and at least one gate stack. The epitaxial material portions disposed on the sides of the fins are isolated from each other. The embodiment of the invention relates to a fin type field effect transistor structure and a method of manufacturing the same.

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应晶体管结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及鳍式场效应晶体管结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器器件尺寸的不断缩小，已研发出三维多栅极结构，如鳍式场效应晶体管(FinFET),来代替平面互补金属氧化物半导体器件。鳍式场效应晶体管器件的特性在于，其结构具有一个或多个被栅极所环绕来限定器件的沟道的硅基鳍。栅极围绕结构在沟道上方还提供了更好的电控，因此减少了电流泄漏和短沟道效应。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有鳍和位于所述鳍之间的绝缘体，其中，所述鳍包括沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分；至少一个栅极堆叠件，设置在所述衬底上方、设置在所述绝缘体上和所述鳍的所述沟道部分上方；和外延材料部分，设置在所述鳍的所述侧翼部分上方和所述至少一个栅极堆叠件的两相对侧处，其中，设置在所述鳍的所述侧翼部分上的所述外延材料部分彼此隔离。根据本专利技术的另一实施例，还提供了一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有鳍和位于所述鳍之间的沟槽；绝缘体，设置在所述衬底的所述沟槽内；至少一个栅极堆叠件，设置为横跨所述鳍的沟道部分并且位于所述鳍的所述沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有鳍和位于所述鳍之间的绝缘体，其中，所述鳍包括沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分；至少一个栅极堆叠件，设置在所述衬底上方、设置在所述绝缘体上和所述鳍的所述沟道部分上方；和外延材料部分，设置在所述鳍的所述侧翼部分上方和所述至少一个栅极堆叠件的两相对侧处，其中，设置在所述鳍的所述侧翼部分上的所述外延材料部分彼此隔离。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/062,2101.一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有鳍和位于所述鳍之间的绝缘体，其中，所述鳍包括沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分；至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡俊雄，方子韦，王参群，陈科维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71