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本发明实施例公开一种鳍式场效应晶体管,其包括衬底、至少一个栅极堆叠件和外延材料部分。所述衬底具有鳍和位于鳍之间的绝缘体,所述鳍包含沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分。所述至少一个栅极堆叠件设置在绝缘体和鳍的沟道部分的上方。所述外延材料...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例公开一种鳍式场效应晶体管,其包括衬底、至少一个栅极堆叠件和外延材料部分。所述衬底具有鳍和位于鳍之间的绝缘体,所述鳍包含沟道部分和位于所述沟道部分旁边的侧翼部分。所述至少一个栅极堆叠件设置在绝缘体和鳍的沟道部分的上方。所述外延材料...