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一种半导体装置结构的形成方法被提供。此方法包括形成目标层于基板上,并且形成籽晶层于目标层上。此方法包括形成硬掩模层于籽晶层上,其中硬掩模层包括开口,以暴露出籽晶层的一部分。此方法包括形成导电层于开口中,其中导电层选择性地沉积于籽晶层上。此方...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体装置结构的形成方法被提供。此方法包括形成目标层于基板上,并且形成籽晶层于目标层上。此方法包括形成硬掩模层于籽晶层上,其中硬掩模层包括开口,以暴露出籽晶层的一部分。此方法包括形成导电层于开口中,其中导电层选择性地沉积于籽晶层上。此方...