光栅的制作方法以及背照式CMOS图像传感器技术

本发明专利技术提供了一种光栅的制作方法以及一种具有光栅的背照式CMOS图像传感器。该光栅的制作方法包括：提供一基底，在所述基底上形成一图像掩模层并刻蚀所述图像掩模层形成若干开口，接着形成光栅层，所述光栅层覆盖剩余的图像掩模层并填充所述开口，然后进行平坦化工艺以去除部分光栅层直至露出剩余的图像掩模层，最后去除剩余的图像掩模层。使用本发明专利技术技术方案可实现对光栅形貌的严格控制。

Method for making grating and back illuminated CMOS image sensor

The invention provides a method for manufacturing grating and a back illuminated CMOS image sensor with grating. The grating fabrication method comprises: providing a substrate, forming an image mask layer and etching the image mask layer is formed on the substrate of a plurality of openings, and then form a grating layer, the grating layer covering the remaining image mask layer and filling the openings, and then the planarization process to remove part the rest of the grating layer to expose the image mask layer, finally remove the remaining image mask layer. With the technical scheme of the invention, strict control of the grating appearance can be realized.

【技术实现步骤摘要】
光栅的制作方法以及背照式CMOS图像传感器
本专利技术属于制造
，特别涉及一种光栅的制作方法和具有光栅的背照式CMOS图像传感器。
技术介绍
由大量等宽等间距的平行狭缝构成的光学器件称为光栅(grating)。光栅常常用于色散分光、光学滤波器、光纤光栅、立体成像、防伪应用等。同时光栅也被应用于半导体领域，比如作为图像传感器的色隔离器件。图像传感器按照感光原理与感光元件的不同，可分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器与CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属-氧化物-半导体)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器能够更好地满足用户对各种应用中的图像传感器不断提升的品质要求，如更加灵活的图像捕获、更高的灵敏度、更宽的动态范围、更高的分辨率、更低的功耗以及更加优良的系统集成等。一般的，CMOS图像传感器按照结构可分为：前照式(FSI,FrontSideIllumination)结构和背照式(BSI，BackSideIllumination)结构。在前照式CMOS图像传感器中，光从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光栅的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成一图像掩模层；刻蚀所述图像掩模层形成若干开口；形成光栅层，所述光栅层覆盖剩余的图像掩模层并填充所述开口；进行平坦化工艺以去除部分光栅层直至露出剩余的图像掩模层；以及去除剩余的图像掩模层以形成光栅。

【技术特征摘要】
1.一种光栅的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成一图像掩模层；刻蚀所述图像掩模层形成若干开口；形成光栅层，所述光栅层覆盖剩余的图像掩模层并填充所述开口；进行平坦化工艺以去除部分光栅层直至露出剩余的图像掩模层；以及去除剩余的图像掩模层以形成光栅。2.如权利要求1所述的光栅的制作方法，其特征在于，刻蚀所述图像掩模层形成若干开口之前，还包括：形成介电抗反射层，所述介电抗反射层覆盖所述图像掩模层。3.如权利要求1所述的光栅的制作方法，其特征在于，所述图像掩模层的材料是无定型碳。4.如权利要求1所述的光栅的制作方法，其特征在于，采用氧等离子体灰化工艺去除所述图像掩模层。5.如权利要求1所述的光栅的制作方法，其特征在于，所述光栅层的材料是金属。6.一种光栅的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有一正面和一背面，所述基底的正面形成有像素阵列，所述像素阵列的相邻像素单元之间形成有绝缘层，所述基底的背面形成有叠层结构；刻蚀所述叠层结构以及所述基底形成第一开口，所述第一开口位于相邻的像素单元之间并暴露所述绝缘层；形成第一光栅层，所述第一光栅层覆盖剩余的叠层结构并填充所述第一开口；执行第一次平坦化工艺以去除部分第一光栅层直至露出剩余的叠层结构，以形成第一光栅；形成图像掩模层，所述图像掩模层覆盖剩余的叠层结构以及第一光栅；刻蚀所述图像掩模层形成第二开口，所述第二开口暴露所述第一光栅；形成第二光栅层，所述第二光栅层覆盖剩余的图像掩模层并填充所述第二开口；执行第二次平坦化工...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，董金文，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42