背照式CMOS图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种背照式CMOS图像传感器及其制作方法。所述背照式CMOS图像传感器包括第一衬底和第二衬底，在所述第一衬底的正面上形成有多个像素单元，在所述第一衬底的背面形成有多个凹槽，所述凹槽至少具有一个相对于所述第一衬底的背面倾斜的侧壁，所述第二衬底与第一衬底在第一衬底的正面方向上键合。另外，本发明专利技术还提供了这种背照式CMOS图像传感器的制作方法。在第一衬底的背面制作的凹槽可以减少入射光在第一衬底背面的光反射损耗，提高背照式CMOS图像传感器的量子效率。

Back illuminated CMOS image sensor and manufacturing method thereof

The invention provides a back illuminated CMOS image sensor and a manufacturing method thereof. The back illuminated CMOS image sensor includes a first substrate and a second substrate, a plurality of pixel units are formed in the front side of the first substrate, a plurality of grooves are formed on the back of the first substrate, wherein at least one groove relative to the side wall on the back of the first substrate is tilted, the the second substrate and the first substrate in a positive direction of the first substrate bonding. In addition, the invention also provides the manufacturing method of the back illuminated CMOS image sensor. The grooves made on the backside of the first substrate can reduce the light reflection loss of the incident light at the back of the first substrate, and improve the quantum efficiency of the back illuminated CMOS image sensor.

【技术实现步骤摘要】
背照式CMOS图像传感器及其制作方法
本专利技术涉及图像传感器领域，尤其涉及一种背照式CMOS图像传感器及其制作方法。
技术介绍
集成电路技术使计算机、控制系统、通讯和图像等许多领域发生了巨大的变化。在图像领域中，图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。图像传感器按照感光元件与感光原理的不同，可分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器与CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属-氧化物-半导体)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器能够更好地满足用户对各种应用中图像传感器不断提升的品质要求，如更加灵活的图像捕获、更高的灵敏度、更宽的动态范围、更高的分辨率、更低的功耗以及更加优良的系统集成等。一般的，CMOS图像传感器按照结构分为前照式图像传感器和背照式图像传感器。在前照式CMOS图像传感器中，光从传感器的正面入射，穿过层间介质层和互连层，最终落到像素单元中光电二极管上，光路径中的额外的层(例如不透明层和反射金属层)会限制光电二极管所吸收的光量，由此降低了量子效率。相反，背照式CMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：第一衬底，具有正面和背面，所述第一衬底的正面上形成有多个像素单元，所述第一衬底的背面上形成有多个凹槽，所述凹槽至少具有一个相对于所述第一衬底的背面倾斜的侧壁；以及第二衬底，与所述第一衬底在第一衬底的正面方向上键合。

【技术特征摘要】
1.一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：第一衬底，具有正面和背面，所述第一衬底的正面上形成有多个像素单元，所述第一衬底的背面上形成有多个凹槽，所述凹槽至少具有一个相对于所述第一衬底的背面倾斜的侧壁；以及第二衬底，与所述第一衬底在第一衬底的正面方向上键合。2.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述背照式CMOS图像传感器还包括形成于所述第一衬底的正面的层间介质层以及互连层，所述层间介质层覆盖所述第一衬底的正面，所述互连层形成于所述层间介质层中。3.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一衬底上形成有第一键合层，所述第二衬底上形成有第二键合层，所述第一衬底和第二衬底通过所述第一键合层和第二键合层实现键合。4.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述背照式CMOS图像传感器还包括依次形成于所述第一衬底的背面的平坦化层、滤色层以及透镜层，所述平坦化层覆盖所述第一衬底的背面并填充所述凹槽，所述滤色层包括多个滤色单元，所述透镜层包括多个微透镜，所述滤色单元、所述微透镜与所述像素单元在垂直于所述第一衬底背面的方向上一一对应。5.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述凹槽在垂直于第一衬底背面的截面形状为V形、W形或梯形中的一种或其任意组合，所述凹槽平行于第一衬底背面的截面形状为圆形、椭圆形、十字形、多边形的一种或其任意组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳云，董金文，付洋，朱继锋，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42