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本发明提供了一种背照式CMOS图像传感器及其制作方法。所述背照式CMOS图像传感器包括第一衬底和第二衬底，在所述第一衬底的正面上形成有多个像素单元，在所述第一衬底的背面形成有多个凹槽，所述凹槽至少具有一个相对于所述第一衬底的背面倾斜的侧壁，...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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