摄像装置制造方法及图纸

公开了一种摄像装置，其包括：光电转换器，所述光电转换器包括有机光电转换元件；传输晶体管，所述传输晶体管与所述光电转换器耦合；浮动扩散区，所述浮动扩散区与所述传输晶体管耦合；以及放大晶体管，所述放大晶体管与所述浮动扩散区耦合，其中，所述传输晶体管包括氧化物半导体层的至少一部分。本发明专利技术的摄像装置能够抑制暗电流的产生，进而实现高可靠性的单元构造。

Camera device

Disclosed is a camera device, which comprises a photoelectric converter, a photoelectric converter includes organic photoelectric conversion element; the transmission transistor, the transmission transistor and the photoelectric converter coupling; the floating diffusion region, the floating diffusion region and the transmission transistor coupling; and the amplifying transistor, the transistor and the amplifier the floating diffusion region coupling, among them, the transmission transistor includes at least a portion of the oxide semiconductor layer. The image pickup device of the invention can suppress the generation of dark current, and thus realize the construction of a high reliable unit.

【技术实现步骤摘要】
摄像装置本申请是申请日为2013年12月19日、专利技术名称为“固态摄像单元和电子装置”的申请号为201380069737.2专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种层叠式固态摄像单元和电子装置，所述层叠式固态摄像单元包括例如在半导体基板上的光电转换器件。
技术介绍
近年来，在诸如CCD(电荷耦合器件)和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态摄像单元中，进入像素的光子数随着像素尺寸减小而减少，因此担心灵敏度降低。因此，采用所谓的层叠式固态摄像单元作为能够实现提高灵敏度的固态摄像单元。在层叠式固态摄像单元中，能够通过在由硅等制成的半导体基板的上方形成光电转换层来提高光电转换区域的孔径比。另一方面，已经提出了R、G和B各种颜色的光电二极管纵向层叠的纵向光谱固态摄像单元，在此构造中，能够在不使用滤色器的情况下获得R、G和B各种颜色信号。因此，消除了滤色器造成的光损失，并且能够使几乎全部的入射光用于光电转换，从而提高图像质量。特别地，作为这样的纵向光谱固态摄像单元，在硅基板上方形成有不同于硅的光电转换层这一构造受到了关注。与所有的R、G和B光电二极管都形成在硅基板中的情况相比，这一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像装置，其包括：光电转换器，所述光电转换器包括有机光电转换元件；传输晶体管，所述传输晶体管与所述光电转换器耦合；浮动扩散区，所述浮动扩散区与所述传输晶体管耦合；以及放大晶体管，所述放大晶体管与所述浮动扩散区耦合，其中，所述传输晶体管包括氧化物半导体层的至少一部分。

【技术特征摘要】
2013.01.16 JP 2013-0052741.一种摄像装置，其包括：光电转换器，所述光电转换器包括有机光电转换元件；传输晶体管，所述传输晶体管与所述光电转换器耦合；浮动扩散区，所述浮动扩散区与所述传输晶体管耦合；以及放大晶体管，所述放大晶体管与所述浮动扩散区耦合，其中，所述传输晶体管包括氧化物半导体层的至少一部分。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述有机光电转换元件包括缓冲层，并且所述氧化物半导体层附着到所述有机光电转换元件。3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述氧化物半导体层包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)中的至少一种。4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述放大晶体管包括在半导体基板中，并且所述半导体基板包括第一光电转换区域。5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述半导体基板包括第二光电转换区域，所述第二光电转换区域的至少一部分位于所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间，所述第一光电转换区域被构造成转换红光，所述第二光电转换区域被构造成转换蓝光，并且所述有机光电转换元件被构造成转换绿光。6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述浮动扩散区与复位晶体管耦合。7.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：选择晶体管，所述选择晶体管与所述放大晶体管耦合，以及信号线，所述信号线与所述选择晶体管耦合。8.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：上电极，所述上电极位于所述有机光电转换元件之上。9.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：遮光层，所述遮光层位于所述有机光电转换元件的一部分之上。10.根据权利要求1所述的摄像装置，进一步包括：紫外线辐射截止滤色器，所述紫外线辐射截止滤色器位于所述有机光电转换元件之上。11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述传输晶体管包括位于半导体基板和所述氧化物半导体层之间的栅极电极。12.根据权利要求11所述的摄像装置，进一步包括：多层布线层，所述多层布线层位于所述半导体基板和所述氧化物半导体层之间，其中，所述多层布线层的一部分布置在所述传输晶体管的所述栅极电极和所述氧化物半导体层之间。13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述氧化物半导体层包括下电极、所述浮动扩散区以及有源区。14.一种摄像装置，其包括：有机光电转换层；电极，所述电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口哲司，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP