半导体存储器装置制造方法及图纸

根据一个实施例，半导体存储器装置设置有包括第一可变电阻元件的第一存储器单元和用于控制对第一存储器单元执行写入的第一电路。第一电路执行用于在第一时间将第一数据写入第一存储器单元的第一写入，确定第一写入是否失败，以及如果第一写入失败则执行用于在比第一时间更长的第二时间将第一数据写入第一存储器单元的第二写入。

Semiconductor memory device

According to one embodiment, the semiconductor memory device is provided with a first memory cell including a first variable resistance element and a first circuit for controlling the execution of the write to the first memory cell. The first circuit implementation for the first time the first write the first data into the first memory unit, to determine whether the first write failure, and if the first write failure is performed for the first time in the second time longer than the first second data is written to the first memory unit writes.

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置相关申请的交叉引用本申请基于并要求2016年3月8日提交的美国临时申请No.62/305,469以及2016年9月14日提交的美国非临时申请No.15/265,741的优先权的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本文描述的实施例一般涉及半导体存储器装置。
技术介绍
磁阻随机存取存储器(MRAM)是其中用于存储信息的存储器单元采用具有磁阻效应的元件的存储器装置。MRAM作为以高速操作、大存储容量和非易失性为特征的下一代存储器装置而受到关注。
技术实现思路
通常，根据一个实施例，半导体存储器装置包括：第一存储器单元，其包括第一可变电阻元件；以及第一电路，用于控制对第一存储器单元执行的写入。第一电路执行第一用于在第一时间将第一数据写入第一存储器单元的写入，确定第一写入是否失败，以及如果第一写入失败则执行用于在比第一时间更长的第二时间将第一数据写入第一存储器单元的第二写入。根据实施例，改进了存储器单元的耐久性。附图说明图1是示出根据实施例的半导体存储器装置的一般架构的框图。图2示出根据实施例的半导体存储器装置的存储器单元阵列。图3A是示出根据实施例的半导体存储器装置中采用的可变电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器装置，包括：第一存储器单元，其包括第一可变电阻元件；以及第一电路，其控制对所述第一存储器单元执行的写入，其中所述第一电路执行用于在第一时间将第一数据写入所述第一存储器单元的第一写入，确定所述第一写入是否失败，以及如果所述第一写入失败，则在比所述第一时间更长的第二时间执行用于将所述第一数据写入所述第一存储器单元的第二写入。

【技术特征摘要】
2016.03.08 US 62/305469;2016.09.14 US 15/2657411.一种半导体存储器装置，包括：第一存储器单元，其包括第一可变电阻元件；以及第一电路，其控制对所述第一存储器单元执行的写入，其中所述第一电路执行用于在第一时间将第一数据写入所述第一存储器单元的第一写入，确定所述第一写入是否失败，以及如果所述第一写入失败，则在比所述第一时间更长的第二时间执行用于将所述第一数据写入所述第一存储器单元的第二写入。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一时间由具有第一脉冲宽度的第一写入脉冲确定，并且所述第二时间由具有比所述第一脉冲宽度更大的第二脉冲宽度的第二写入脉冲确定。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中基于第一信号和第二信号的上升时间生成所述第一写入脉冲，以及基于所述第一信号和所述第二信号的延迟信号的上升时间生成所述第二写入脉冲。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一电路包括：第一锁存器，其临时存储从所述第一存储器单元读取的读取数据；以及第二锁存器，其临时存储要写入所述第一存储器单元的写入数据，其中，通过检查所述第一锁存器中的数据和所述第二锁存器中的数据是否相同，来确定所述第一写入是否失败。5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中在确定所述第一写入是否失败之前，将所述第一存储器单元中的数据传送到所述第一锁存器。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中响应于第一命令执行所述第一写入，并且响应于与所述第一命令不同的第二命令执行所述第二写入。7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中通过生成针对伴随所述第二命令的第二数据的第三信号，防止所述第二数据被传送到所述第二写入中的所述第二锁存器。8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述第二命令是预充电命令。9.一种半导体存储器装置，包括：第一存储器单元，其包括第一可变电阻元件；第二存储器单元，其包括第二可变电阻元件；以及第一电路，其控制对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元执行的写入，其中所述第一电路执行用于在第一时间将第一数据写入所述第一存储器单元中的第一写入，执行用于在所述第一时间将第二数据写入所述第二存储器单元中的第二写入，确定所述第一写入是否失败，并且进一步确定所述第二写入是否失败，如果所...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水直树，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP