新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管制造技术

本发明专利技术涉及一种新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管，包括n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有集电极区，集电极区包括间隔设置的n+型集电极区和p+型集电极区，集电极区的下方设置有与集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于第一基极区P++下方的第二基极区P‑，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层本发明专利技术的新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管制造成本低。

【技术实现步骤摘要】
新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管
本专利技术涉及一种功率管的制造方法，尤其涉及一种新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT晶体管大致可以分为PT-IGBT(穿通型IGBT)、NPT-IGBT(非穿通型IGBT)以及FS-IGBT(电场阻止型IGBT)。随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。虽然TrenchFS结构IGBT较NPT、PT结构而言，具有在更薄的厚度上承受更大的耐压，相同的面积上做到更大的电流、更好的开关特性等优点，但在实际应用中往往需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有集电极区，所述集电极区包括间隔设置的n+型集电极区和p+型集电极区，所述集电极区的下方设置有与集电极区连接的集电极；所述n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于所述第一基极区P++下方的第二基极区P‑，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括n-型漂移区，所述n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有集电极区，所述集电极区包括间隔设置的n+型集电极区和p+型集电极区，所述集电极区的下方设置有与集电极区连接的集电极；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙向东，谈益民，
申请(专利权)人：无锡罗姆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32