The utility model belongs to the field of semiconductor packaging, in particular to an extension of the bonding of TO type 220 lead frame pressure area, including the lead foot plate, and the heat radiating plate connection, the pin number is 3, including foot and foot are respectively arranged in the two side of the foot, two the side legs are arranged on the bonding pressure zone, the bonded area is provided with a chamfer angle of pressure, the chamfered edge chamfer and axial direction is 35 degrees, the chamfer angle along the axial length was 0.40mm, the usable area of the bond zone pressure is 2.99mm2 + 0.05mm2, compared with the traditional TO 220 type lead frame, the frame of the bonding capacity of up to 2 times more, ability to withstand current increase more than 2 times, which greatly enhance the utilization of products.
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体封装领域，尤其涉及一种扩展键合压区的TO-220型引线框架。
技术介绍
引线框架是一种集成电路芯片的载体，是借助键合丝使芯片内部电路引出端(键合点)通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用，需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面性、应力释放等方面达到较高的标准。TO-220型引线框架是使用比较广泛的封装形式，但在实际生产过程中也存在一定的问题，图1为传统的TO-220型引线框架，图2为图1中A向的放大图，从图2可看出，TO-220型引线框架的键合压区设有两个倒角。两个倒角减小了键合压区的面积，造成生产中不能焊接多根金属丝，使该框架不能完全达到实际组装效果。该框架键合压区的最大面积为2.78mm2±0.05m2，减去倒角的面积后，实际平整可用面积为1.28mm2±0.05mm2，最多键合15mil金属丝1根，利用率低下。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，减小倒角的面积，提高产品的键合能力，提升产品的利用率。本技术提出的一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，包括散热板、与散热板连接的引线脚，所述引线脚的数量为3个，包括中脚和分别设置在所述中脚两侧的侧脚，两个所述侧脚上均设有键合压区，所述键合压区上设有倒角，所述倒角的倒角边与轴向的夹角为35°，所述倒角沿...
【技术保护点】
一种扩展键合压区的TO‑220型引线框架，其特征在于：包括散热板、与散热板连接的引线脚，所述引线脚的数量为3个，包括中脚和分别设置在所述中脚两侧的侧脚，两个所述侧脚上均设有键合压区，所述键合压区上设有倒角，所述倒角的倒角边与轴向的夹角为35°，所述倒角沿轴向的边长为0.40mm，所述键合压区的可用面积为2.99mm2±0.05mm2。
【技术特征摘要】
1.一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，其特征在于：包括散热板、与散热板连接的引线脚，所述引线脚的数量为3个，包括中脚和分别设置在所述中脚两侧的侧脚，两个所述侧脚上均设有键合压区，所述键合压区上设有倒角，所述倒角的倒角边与轴向的夹角为35°，所述倒角沿轴向的边长为0.40mm，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙，刘宇虹，
申请(专利权)人：无锡罗姆半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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