新型的增强注入器件IEGT制造技术

本发明专利技术涉及一种新型的增强注入器件IEGT，包括n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。本发明专利技术的新型的增强注入器件IEGT通态电压低。

A new enhanced injection device IEGT

The invention relates to a new type of enhanced injection devices including n IEGT, drift region, n+ type field stop layer is arranged below the N drift region, p+ type collector region is arranged below the n+ field stop layer, a collector region is connected with the p+ type collector is arranged below the p+ type collector region n; interval above the drift region is arranged on the base region and the base gate, left and right sides surface is provided with a n+ type emitter, and a n+ type emitter emitter connected n+ emission region and the base region of the upper pole, the outer side of the gate is arranged on the gate insulating layer. The invention of the new type of enhanced IEGT injection device on state voltage low.

【技术实现步骤摘要】
新型的增强注入器件IEGT
本专利技术涉及一种功率半导体器件，尤其涉及一种新型的增强注入器件IEGT。
技术介绍
IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor)是IGBT系列电力电子器件，采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加，从而实现了更低通态电压。IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点。IEGT具有高速导通晶闸管同样微细的MOS栅结构，又有IGBT同样的导通能力，IEGT使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。随着功率电子和半导体技术的快速进步，有些电力电子应用需要更高耐压的半导体开关器件，随着功率器件的耐压越来越高，使得功率器件的通态电压也越来越大。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的新型的增强注入器件IEGT。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种通态电压低的新型的增强注入器件IEGT。本专利技术的新型的增强注入器件IEGT，包括n-型漂移区，所述n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；所述n-型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。进一步的，本专利技术的新型的增强注入器件IEGT，所述基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于所述第一基极区P++下方的第二基极区P-。借由上述方案，本专利技术至少具有以下优点：本专利技术的新型的增强注入器件IEGT是站在功率器件结构创新的角度，采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加，从而实现了更低通态电压。在不增加制造成本的情况下，降低了功率器件的通态电压，达到了节约芯片制造成本的目的。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1是本专利技术新型的增强注入器件IEGT的结构示意图；其中，1：n-型漂移区；2：n+型场阻止层；3：p+型集电极区；4：集电极；5：基极区；6：栅极；7：n+型发射区；8：发射极；9：栅绝缘层。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。参见图1，本专利技术一较佳实施例的一种新型的增强注入器件IEGT，包括n-型漂移区1，n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层2，n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区3，p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极4；n-型漂移区的上方间隔设置有基极区5和栅极6，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区7，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极8，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层9。作为优选，本专利技术的新型的增强注入器件IEGT，基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于第一基极区P++下方的第二基极区P-(图中未示出)。本专利技术的新型的增强注入器件IEGT采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加，从而实现了更低通态电压。本专利技术的一种增强注入器件IEGT的制造方法，其包括：第一步N-区熔单晶片的场氧化。第二步分压环的制作(包括光刻、刻饰、注入、推火)第三步P-BODY的制作(包括光刻、刻饰、注入、推火)第四步Trench的制作(包括TEOS淀积、TEOS光刻、TEOS刻蚀、Trench刻蚀)第五步栅极的制作(包括牺牲氧化、牺牲氧化刻蚀、栅养氧化、多晶淀积)第六步发射区的制作(包括发射区光刻、发射区注入、发射区退火)第七步接触孔的制作(包括接触孔光刻、接触孔刻蚀、接触孔注入、接触孔退火、金属淀积)第八步背面减薄(背面减薄120±5um)第九步场截止N+层制作(包括N+层高能注入、退火)第十步极电极P+层制作(包括极电极P+注入、退火)第十一步背面金属化(包括背面金属化前处理、背面多层金属制作)具体地，1200V/25A新型的增强注入器件IEGT制造工艺及其参数如下表：以上仅是本专利技术的优选实施方式，并不用于限制本专利技术，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的增强注入器件IEGT，其特征在于：包括n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；所述n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种新型的增强注入器件IEGT，其特征在于：包括n-型漂移区，所述n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；所述n-型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区表面的左...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙向东，谈益民，
申请(专利权)人：无锡罗姆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32