EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘。本发明专利技术提供的EMPT-TI-IGBT器件，有效增加了EMPT-TI-IGBT导通时漂移区的载流子浓度，从而减低了EMPT-TI-IGBT器件的导通压降。

Structure of EMPT-TI-IGBT device and preparation method thereof

The present invention provides a structure of EMPT-TI-IGBT devices, including the drift region, a gate, the gate oxide, the launch area, surrounded by the base, in the emission region will lower emission region and the drift region is separated from the heavily doped region, located in the drift region below the micro perforating zone and alternate distribution leads to carriers between collector and collector short circuit area, and is located in the base region and the drift region of the reducer layer, the emission region and the heavily doped region respectively are connected with the launch, the launch area and carrier deceleration layer are connected with the gate, the gate insulation through the gate oxide and semiconductor region. The EMPT-TI-IGBT device provided by the invention effectively increases the carrier concentration in the drift region during the turn-on of the EMPT-TI-IGBT, thereby reducing the turn-on voltage drop of the EMPT-TI-IGBT device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法。
技术介绍
VDMOS器件的背面是N型半导体，属于单极器件，开关速度快，但是随着耐压的增加，器件的导通压降迅速增大。IGBT器件的背面是P型半导体，在导通时P型集电极会注入大量的空穴，从而发生电导调制效应，降低了导通压降。但另一方面由于注入了大量少子，器件关断时需要将过剩的少子复合掉，这导致器件关断较慢。且由于集电极短路，导致空穴注入效率相比传统IGBT结构要低，所以需要增加漂移区的载流子浓度，增加电导调制作用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够降低器件导通压降的EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，包括漂移区、平面型栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EMPT‑TI‑IGBT器件的结构，其特征在于：包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘。

【技术特征摘要】
2012.11.23 CN 201210483036.01.一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，其特征在于：包括漂移区、栅极、
栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂
区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、
及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与
发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过
栅氧与半导体区域绝缘。
2.根据权利要求1所述的EMPT-TI-IGBT器件的结构，其特征在于：
所述栅极为平面栅，位于半导体表面，栅氧与半导体中间有通过热氧化生
长形成的二氧化硅薄层一起将栅极与半导体区域绝缘。
3.根据权利要求1所述的EMPT-TI-IGBT器件的结构，其特征在于：
所述栅极为平面栅，位于沟槽内部，通过热氧化生长在沟槽侧壁的栅氧与
底部的二氧化硅薄层一起将栅极与半导体区域绝缘。
4.一种权利要求1所述EMPT-TI-IGBT器件的制备方法，其特征在于，
包括：
制备载流子减速层；
制备微...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱阳军，张文亮，胡爱斌，赵佳，吴振兴，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11