The invention provides a power device TI-IGBT, this device is VDMOS, IGBT and FRD three kinds of traditional device structure and function are integrated, the front structure and the traditional structure of the device is VDMOS, IGBT is similar to that of the back structure as the collector area and the short zone distribution phase. The power device TI-IGBT provided by the invention combines the advantages of the VDMOS and the IGBT, and has a faster switching speed and a lower turn-on voltage drop.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法。
技术介绍
VDMOS器件的背面是N型半导体，属于单极器件，开关速度快，但是随着耐压的增加，器件的导通压降迅速增大。IGBT器件的背面是P型半导体，在导通时P型集电极会注入大量的空穴，从而发生电导调制效应，降低了导通压降，另一方面由于注入了大量少子，器件关断时需要将过剩的少子复合掉，这导致器件关断较慢。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种具有较快关断速度和较低导通压降的功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种功率器件—TI-IGBT的结构，是将VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构集成为一体，其正面结构漂移区、栅氧、发射区、将发射区和漂移区隔开的基区、重掺杂区、微穿通区、及三个引出端；所述三个引出端为集电极、发射极和栅极；所述栅极连接发射区和漂移区，栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；所述发射区的下面被...
【技术保护点】
一种功率器件—TI‑IGBT，其特征在于：是将VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构集成为一体，正面结构包括漂移区、栅氧、发射区、将发射区和漂移区隔开的基区、重掺杂区、微穿通区、及三个引出端；所述三个引出端为集电极、发射极和栅极；所述栅极连接发射区和漂移区，栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；所述发射区的下面被基区包围，所述重掺杂区设置在发射区的中央区域，所述发射极连接发射区和重掺杂区；背面结构包括集电区和短路区，所述集电区和短路区之间引出集电极。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
2012.11.23 CN 201210482778.11.一种功率器件—TI-IGBT，其特征在于：是将VDMOS、IGBT及FRD
三种器件结构集成为一体，正面结构包括漂移区、栅氧、发射区、将发射
区和漂移区隔开的基区、重掺杂区、微穿通区、及三个引出端；所述三个
引出端为集电极、发射极和栅极；所述栅极连接发射区和漂移区，栅极通
过栅氧与半导体区域绝缘；所述发射区的下面被基区包围，所述重掺杂区
设置在发射区的中央区域，所述发射极连接发射区和重掺杂区；背面结构
包括集电区和短路区，所述集电区和短路区之间引出集电极。
2.根据权利要求1所述的功率器件—TI-IGBT，其特征在于：所述集
电区和短路区相间分布、或集电区中镶嵌短路区、或短路区中镶嵌集电区。
技术研发人员：朱阳军，田晓丽，张文亮，卢烁今，张杰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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