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本发明提供了一种功率器件—TI-IGBT，此器件是将传统的VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构及功能集成为一体，器件的正面结构与传统的VDMOS、IGBT的正面结构相似，背面结构为集电区和短路区相间分布。本发明提供的一种功率器件—TI-...该专利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。