半导体装置制造方法及图纸

提高沟槽的内壁的绝缘膜的可靠性。提供一种半导体基板，该半导体装置具备：半导体基板、形成在半导体基板的正面的虚设沟槽部、以及形成在半导体基板的正面的上方的、含有金属的第1正面侧电极，虚设沟槽部具有：形成在半导体基板的正面的虚设沟槽、形成在虚设沟槽的内壁的绝缘膜、在虚设沟槽的内部与绝缘膜相比形成在内侧的虚设导电部、以及具有使虚设导电部的至少一部分露出的开口且在半导体基板的正面覆盖绝缘膜的保护部，第1正面侧电极具有形成在保护部的开口内的部分，并与虚设导电部接触。

Semiconductor device

Reliability of insulating film for enhancing inner wall of groove. To provide a semiconductor substrate, the semiconductor device includes a semiconductor substrate, forming a positive dummy trench in the semiconductor substrate, and forming a first electrode in the front side of the semiconductor substrate is above, metal containing the dummy trench section has formed in the semiconductor substrate, positive dummy trench formed on the insulating film, the inner wall of the dummy trench in the dummy trench is formed within the protection department to make positive dummy conductive portions at least a portion of the exposed opening and the insulating film on a semiconductor substrate covered in the dummy conductive part, and compared with the inside of the insulating film, first front side electrode has an opening formed in the inner part of the protection department. Contact with the dummy conductive part.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知有在半导体元件中在设置于基板正面的沟槽内形成栅极等电极的构成(例如，参照专利文献1)。沿沟槽的内壁形成绝缘膜，在绝缘膜的内侧形成多晶硅等的电极。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-353456号公报
技术实现思路
技术问题若使半导体元件逐渐进行微细化，则形成在沟槽的内壁的绝缘膜也变薄。其结果导致沟槽开口附近的绝缘膜的可靠性下降。技术方案在本专利技术的一个实施方式，提供具备半导体基板、虚设沟槽部和第1正面侧电极的半导体装置。虚设沟槽部可以形成在半导体基板的正面。第1正面侧电极可以形成在半导体基板的正面的上方。第1正面侧电极可以含有金属。虚设沟槽部可以具有虚设沟槽、绝缘膜、虚设导电部和保护部。虚设沟槽可以形成在半导体基板的正面。绝缘膜可以形成在虚设沟槽的内壁。虚设导电部可以在虚设沟槽的内部与绝缘膜相比形成在内侧。保护部可以具有使虚设导电部的至少一部分露出的开口，并且在半导体基板的正面覆盖绝缘膜。第1正面侧电极可以具有形成在保护部的开口内的部分。第1正面侧电极可以与虚设导电部接触。半导体装置还可以具备栅极沟槽部。栅极沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；虚设沟槽部，其形成在所述半导体基板的正面；以及第1正面侧电极，其含有金属并形成在所述半导体基板的正面的上方，所述虚设沟槽部具有：虚设沟槽，其形成在所述半导体基板的正面；绝缘膜，其形成在所述虚设沟槽的内壁；虚设导电部，其在所述虚设沟槽的内部与所述绝缘膜相比形成在内侧；以及保护部，其具有使所述虚设导电部的至少一部分露出的开口，并且在所述半导体基板的正面覆盖所述绝缘膜，所述第1正面侧电极具有形成在所述保护部的所述开口内的部分，并且与所述虚设导电部接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.07 JP 2015-1361771.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；虚设沟槽部，其形成在所述半导体基板的正面；以及第1正面侧电极，其含有金属并形成在所述半导体基板的正面的上方，所述虚设沟槽部具有：虚设沟槽，其形成在所述半导体基板的正面；绝缘膜，其形成在所述虚设沟槽的内壁；虚设导电部，其在所述虚设沟槽的内部与所述绝缘膜相比形成在内侧；以及保护部，其具有使所述虚设导电部的至少一部分露出的开口，并且在所述半导体基板的正面覆盖所述绝缘膜，所述第1正面侧电极具有形成在所述保护部的所述开口内的部分，并且与所述虚设导电部接触。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备形成在所述半导体基板的正面的栅极沟槽部，所述栅极沟槽部具有：栅极沟槽，其形成在所述半导体基板的正面；绝缘膜，其形成在所述栅极沟槽的内壁；栅极导电部，其在所述栅极沟槽的内部与所述绝缘膜相比形成在内侧；以及栅极绝缘部，其设置在所述栅极导电部的上方，并且使所述栅极导电部与所述第1正面侧电极绝缘。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极绝缘部设置为在所述半导体基板的正面覆盖所述栅极沟槽，形成于所述保护部的开口的宽度小于彼此相邻而设置的所述保护部与所述栅极绝缘部之间的距离。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第1正面侧电极具有：金属的虚设插塞部，其形成在所述保护部的所述开口内，与所述虚设导电部...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP