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本发明提供了一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所...该专利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。