一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件制造技术
A fast turn on insulator silicon on insulator insulated gate bipolar transistor device
A fast turn off SOI lateral insulated gate bipolar transistor, the P substrate is arranged on the buried oxide, a N type drift region in the buried oxide, which is provided with a N buffer and P type body region, with P type collector region in N buffer, which is connected with a collector the metal, N type emitter region is provided within the P body area, the right side is provided with a P type emitter, the emitter region is connected with a metal emitter, field oxygen layer is arranged above the N type drift region, the N emission on the left side are provided with longitudinal grooves, is arranged in the silica or other pressure medium wrapped in the polysilicon layer with the metal gate, P emitter region block is arranged in the longitudinal groove on the left side, which is connected with the emitter metal, the longitudinal groove is arranged between the field oxide layer and the P type emission region is arranged in the silica or other pressure medium A polysilicon layer on which a gate metal is connected, and an oxide layer between the gate metal and the emitter metal.
【技术实现步骤摘要】
一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件
本专利技术主要涉及功率半导体器件
，是一种新型快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，特别适用于单片集成功率芯片中用来实现对电机系统的准确控制。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT是MOSFET与双极型晶体管的复合器件，同时具备MOSFET管与双极型晶体管的特点，它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大的优点，具有良好的通态电流和开关损耗之间的折中关系。绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LateralInsulatedGateBipolarTransistor，SOI-LIGBT)是一种典型的基于SOI工艺的器件，具有易于集成、耐压高、驱动电流能力强、开关速度快等优点，在功率集成电路中得到了广泛应用。基于以上所述优点，SOI-LIGBT常作为核心器件，用于单片集成功率芯片中。为了降低器件的导通压降，最近提出了U型沟道的平面栅SOI-LIGBT结构，通过采用这种结构，U型沟道的平面栅SOI-LIGBT器件实现了较低的导通压降，然而，在这些SOI-LIGBT结构中，因为存在JFET...
【技术保护点】
一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型漂移区(20)，在N型漂移区(20)的两侧分别设有N型缓冲区(10)和P型体区(7)，在N型缓冲区(10)内设有重掺杂的P型集电极区(9)，重掺杂的P型集电极区(9)上连接有集电极金属(19)，在P型体区(7)内设有重掺杂的N型发射极区(11)，在重掺杂的N型发射极区(11)的右侧设有重掺杂的P型发射区(8b)，在上述重掺杂的P型发射极区(8b)和重掺杂的N型发射区(11)上连接有第二发射极金属(15)，在N型漂移区(20)的上方设有场氧层(18)，...
【技术特征摘要】
1.一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型漂移区(20)，在N型漂移区(20)的两侧分别设有N型缓冲区(10)和P型体区(7)，在N型缓冲区(10)内设有重掺杂的P型集电极区(9)，重掺杂的P型集电极区(9)上连接有集电极金属(19)，在P型体区(7)内设有重掺杂的N型发射极区(11)，在重掺杂的N型发射极区(11)的右侧设有重掺杂的P型发射区(8b)，在上述重掺杂的P型发射极区(8b)和重掺杂的N型发射区(11)上连接有第二发射极金属(15)，在N型漂移区(20)的上方设有场氧层(18)，所述场氧层(18)的一侧边界落在N型缓冲区(10)的上方，另一侧边界与P型体区(7)相接，其特征在于，在重掺杂的N型发射区(11)左侧设有第一纵向沟槽(3)，在第一纵向沟槽(3)内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的第一多晶硅层(4)，在第一多晶硅层(4)上连接有第一栅金属(12)，在第一纵向沟槽(3)左侧设有重掺杂P型发射极区块体(8a)，发射极区块体(8a)间隔分布，发射极区块体(8a)上连接有第一发射极金属(22)，在场氧层(18)与重掺杂的P型发射区(...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝靖，汤清溪，张龙，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，东南大学无锡集成电路技术研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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