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本发明涉及一种新型的增强注入器件IEGT，包括n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，...
该专利属于无锡罗姆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡罗姆半导体科技有限公司授权不得商用。

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