等离子体蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，其是使用处理气体对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法，上述处理气体含有下述式(1)所示的链状饱和氟化烃化合物和在等离子体蚀刻条件下作为氟自由基供给源发挥功能的气体状的含氟化合物。式(1)中，x表示3或4，y表示5～9的整数，z表示1～3的整数。其中，上述气体状的含氟化合物不包括上述式(1)所示的化合物。根据本发明专利技术，可提供一种等离子体蚀刻方法，其是相对于掩模选择性地蚀刻含有硅的膜的方法，能够在短时间形成良好的形状的孔、槽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体蚀刻方法
本专利技术涉及对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法。
技术介绍
近年来，为了实现半导体存储器的存储容量的大容量化等，正在进行三维NAND型闪存等三维半导体存储器的开发。制造三维NAND型闪存时，通常对介电常数不同的绝缘膜交替层叠而成的多层膜实施等离体子蚀刻处理，从而形成孔、槽。作为这样的多层膜，可举出例如将硅氧化物膜和硅氮化物膜层叠而成的膜。对多层膜进行等离子体蚀刻时，通常在中途不改变蚀刻条件的情况下来进行性质不同的2种以上的膜(例如，硅氧化物膜和硅氮化物膜)的加工，因此需要使采用的蚀刻条件适用于构成多层膜的全部的膜。此外，通常多层膜比单层膜厚，因此对多层膜进行等离子体蚀刻时，与单层膜的等离子体蚀刻相比处理时间容易变长。因此，在多层膜的等离子体蚀刻处理中，存在有以下的问题：孔等被沉积膜堵塞；产生弯曲(bowing)等形状异常；掩模消失。作为解决这样的多层膜的等离子体蚀刻处理中的问题的方法，专利文献1中记载有以下方法：使用包含式：CxHyFz(x为4，y为4以上的整数，z为正整数，y+z＝10)所示的链状饱和氟化烃化合物的处理气体，对具有硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，其是使用处理气体对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法，所述处理气体含有下述式(1)所示的链状饱和氟化烃化合物和在等离子体蚀刻条件下作为氟自由基供给源发挥功能的气体状的含氟化合物，其中，所述气体状的含氟化合物不包括所述式(1)所示的化合物，CxHyFz  (1)式(1)中，x表示3或4，y表示5～9的整数，z表示1～3的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.22 JP 2015-0105401.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，其是使用处理气体对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法，所述处理气体含有下述式(1)所示的链状饱和氟化烃化合物和在等离子体蚀刻条件下作为氟自由基供给源发挥功能的气体状的含氟化合物，其中，所述气体状的含氟化合物不包括所述式(1)所示的化合物，CxHyFz(1)式(1)中，x表示3或4，y表示5～9的整数，z表示1～3的整数。2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其中，所述链状饱和氟化烃化合物与所述气体状的含氟化合物的容量比为1∶99～99∶1。3.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其中，所述含氟化合物为选自CF4、CHF3、NF3及SF6中的化合物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其中，所述处理气体进一步含有反应性气体，所述链状饱和氟化烃化合物和所述气体状的含氟化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：乾裕俊，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP