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本发明涉及一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，其是使用处理气体对含有硅的膜进行等离子体蚀刻的方法，上述处理气体含有下述式(1)所示的链状饱和氟化烃化合物和在等离子体蚀刻条件下作为氟自由基供给源发挥功能的气体状的含氟化合物。式(1)中，x表示3...
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