纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列技术

本发明专利技术涉及纳米技术领域，具体公布一种纳米线阵列的雕刻方法。这种方法包括：1)制作纳米线；2)在所述纳米线表面进行多层光刻胶的涂覆处理，形成NAs@PR基质，用紫外光曝光NAs@PR基质，最后将NAs@PR基质浸没在刻蚀溶液中。通过本雕刻方法，获得质量高、形态和密度可控的纳米线阵列。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列
本专利技术属于纳米
，特别涉及一种纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列。
技术介绍
紫外半导体激光器被广泛应用在光子学、信息存储、生物学、医学治疗上。其中，氧化锌(ZnO)由于其低廉的花费、较大的带隙(3.37eV)、较大的激发态结合能(60MeV)和冷光性能成为一种重要的基础材料。它被广泛使用在许多方面，比如气敏元件、紫外滤光材料和抗菌材料。现今，许多氧化锌纳米结构(如纳米棒、纳米桥和纳米钉)已经被生产出来，并在搭建功能性纳米电子设备方面拥有很大的潜力。合理控制纳米结构对于修饰各种纳米材料的功能性质是必须的。因此ZnO纳米线阵列构成的有序纳米结构是我们十分需要的，同时我们希望这些纳米结构在各向异性参数，周期结构和尺寸上是可控调整的，从而可以被应用于制备具有优异可靠性能的光学、热学和与电子纳米器件。用于制备氧化锌竖直纳米线阵列图案的方法有许多种，并被分成三大类：预成像模板法、后组装法和原位生长法。然而，在纳米线阵列的二维图形化控制方面，这些现有的生长方法无法精确控制纳米线的长度，并不可避免地会造成由于侧向生长或杂质诱导生长而导致的低成像分辨率。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米线阵列的雕刻方法，其特征在于：包括以下步骤：1)制作纳米线；2)在所述纳米线表面进行多层光刻胶的涂覆处理，形成NAs@PR基质，用紫外光曝光NAs@PR基质，最后将NAs@PR基质浸没在刻蚀溶液中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种纳米线阵列的雕刻方法，其特征在于：包括以下步骤：1)制作纳米线；2)在所述纳米线表面进行多层光刻胶的涂覆处理，形成NAs@PR基质，用紫外光曝光NAs@PR基质，最后将NAs@PR基质浸没在刻蚀溶液中。2.如权利要求1所述的纳米线阵列的雕刻方法，其特征在于：所述纳米线的长度为9～12μm。3.如权利要求1～2任一项所述的纳米线阵列的雕刻方法，其特征在于：构成所述纳米线可以由ZnO、Si、GaN中的任一种构成。4.如权利要求3所述的纳米线阵列的雕刻方法，其特征在于：所述ZnO制成的纳米线在硅衬底表面生长。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：程春，石润，刘世源，陈鹏程，欧阳文开，陈宏，张亮，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东,44