等离子体蚀刻方法技术

本发明专利技术为等离子体蚀刻方法，其为在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用选自由式(I)表示的氢氟醚中的至少1种作为处理气体。式(1)中，R表示氢原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基。m、n表示满足1≤m≤3、3≤(m+n)≤4的整数。根据本发明专利技术，提供在硅氧化物的蚀刻中即使不使用氧、氢也能够获得足够高的蚀刻速度并且实现与硅氮化物、硅、有机材料的高蚀刻选择性的等离子体蚀刻方法。CmF2m+1‑O‑CH2‑R  (I)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体蚀刻方法
本专利技术涉及一种方法，其为在半导体器件的制造工序中、在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其中，在对硅氧化物和选自硅氮化物、硅和有机膜中的至少一种同时进行蚀刻时，选择性地对硅氧化物进行等离子体蚀刻。
技术介绍
半导体器件的制造中，在将硅化合物膜[例如，SiO2膜、Si3N4(SiN)膜、SiC膜等]微细加工成所期望的形状时，具有使用处理气体进行等离子体蚀刻的工序。进行等离子体蚀刻时，成为加工的对象的硅化合物膜与在同一基板上混在一起的不需要加工(非加工对象)的硅化合物膜和/或有机膜的蚀刻选择性变得重要。目前为止，为了对于这样的加工对象和非加工对象的硅化合物的种类、组合，满足蚀刻速度和蚀刻选择比的要求，提出了各种的等离子体蚀刻用的处理气体。例如，非专利文献1、专利文献1中记载了对于硅氧化膜的蚀刻使用C4F6、C4F8、C5F8这样的氟碳、CH3F、C5HF7这样的氢氟碳作为处理气体的方法。上述的氟碳、氢氟碳通常在等离子体蚀刻时与氩等稀有气体、氧混合使用。这是因为，如果只使用氟碳或氢氟碳作为处理气体，则在基板上形成厚的等离子体聚合膜，蚀刻不进行。其中，为了稀释本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，是在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用选自由式(I)表示的氢氟醚中的至少1种作为处理气体：CmF2m+1‑O‑CH2‑R   (I)式中，R表示氢原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基，m、n表示满足1≤m≤3、3≤(m+n)≤4的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.30 JP 2014-2214231.一种等离子体蚀刻方法，是在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用选自由式(I)表示的氢氟醚中的至少1种作为处理气体：CmF2m+1-O-CH2-R(I)式中，R表示氢原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基，m、n表示满足1≤m≤3、3≤(m+n)≤4的整数。2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦豪，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP