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本发明为等离子体蚀刻方法，其为在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用选自由式(I)表示的氢氟醚中的至少1种作为处理气体。式(1)中，R表示氢原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基。m、n表示满足1≤m≤3、3≤(m+...
该专利属于日本瑞翁株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本瑞翁株式会社授权不得商用。

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