用于选择性蚀刻膜的系统和方法技术方案

本发明专利技术提供一种用于选择性蚀刻膜的系统和方法。一种用于相对于衬底的另一种暴露材料选择性蚀刻衬底的一种暴露材料的方法，包括：a)将衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)为RF等离子体设置RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处理室；e)以电模式(E‑模式)和磁模式(H‑模式)之一在处理室中激励RF等离子体；和f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E模式和所述H模式中的一个切换到所述E模式和所述H模式中的另一个。

System and method for selective etching of membranes

The present invention provides a system and method for selectively etching films. For one another with respect to the substrate material exposed to selective etching of a substrate material exposure method, including: a) a substrate arranged in the treatment chamber; b) set the chamber pressure; c) RF frequency and RF power RF d) plasma; the treatment of plasma gas mixture to supply room; E) in electric mode (E mode) and magnetic mode (H mode) of excitation of RF plasma in the processing chamber; and F) during plasma processing of the substrate, the change of the chamber pressure, the frequency of RF, the RF power and the plasma gas mixture at least one, with a switch from the E mode and the H mode to the E mode and the H mode in another.

【技术实现步骤摘要】
用于选择性蚀刻膜的系统和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月16日提交的美国临时申请No.62/294,621的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及衬底处理系统，更具体地涉及用于选择性蚀刻膜的系统和方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所署名的专利技术人的工作，在该
技术介绍
部分以及本说明书的在申请时不会以其他方式被认为是现有技术的方面中描述的程度上，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可以用于蚀刻诸如半导体晶片之类的衬底上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。用于蚀刻的衬底处理系统的示例包括变压器耦合等离子体(TCP)系统、电感耦合等离子体(ICP)系统和电容耦合等离子体(CCP)系统。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于激活化学反应。在一些半导体制造工艺中，在蚀刻步骤期间可以使几种类型的膜暴露。通常，蚀刻工艺以相同或相似的蚀刻速率蚀刻各种类型的膜。一些半导体制造工艺可能需要更多地蚀刻衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于蚀刻衬底的方法，包括：a)将所述衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)设置用于RF等离子体的RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处理室；e)以电模式(E‑模式)和磁模式(H‑模式)中的一种在所述处理室中激励所述RF等离子体；和f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E‑模式和所述H‑模式中的一个切换到所述E‑模式和所述H‑模式中的另一个。

【技术特征摘要】
2016.02.12 US 62/294,621;2017.02.07 US 15/426,2411.一种用于蚀刻衬底的方法，包括：a)将所述衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)设置用于RF等离子体的RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处理室；e)以电模式(E-模式)和磁模式(H-模式)中的一种在所述处理室中激励所述RF等离子体；和f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E-模式和所述H-模式中的一个切换到所述E-模式和所述H-模式中的另一个。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：g)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E-模式和所述H-模式中的所述另一个切换到所述E-模式和所述H-模式中的所述一个。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气体混合物包括N种气体，并且其中所述N种气体中的至少一种的流速被改变以切换到所述E-模式和所述H-模式中的所述另一个，其中N是大于零的整数。4.根据权利要求1所述的方法，其中改变所述等离子体气体混合物包括添加气体物质或从所述等离子体气体混合物移除气体物质以切换到所述E-模式和所述H-模式中的所述另一个。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述室压强被执行增大或减小中的至少一种操作，以切换到所述E-模式和所述H...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·尤金·卡朗，艾夫林·安格洛夫，朴俊洪，杨邓良，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US