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本发明提供一种用于选择性蚀刻膜的系统和方法。一种用于相对于衬底的另一种暴露材料选择性蚀刻衬底的一种暴露材料的方法，包括：a)将衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)为RF等离子体设置RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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