自对准栅极后制III‑N晶体管制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自对准栅极后制III-N晶体管
本专利技术的实施例总体上涉及III-N半导体晶体管，且更具体地涉及具有自对准栅极的III-N晶体管、器件及制造技术。
技术介绍
在一些实施方式中，基于III-N材料的晶体管(例如基于氮化镓(GaN)的晶体管)可以用于高电压和/或高频应用。例如，功率管理集成电路(PMIC)及射频集成电路(RFIC)可以是芯片上系统(SoC)中的关键功能模块。这种SoC应用可以出现在诸如智能手机、平板电脑、膝上型电脑、上网本等移动计算平台中。在这种实施方式中，PMIC和RFIC是针对功效和形状因子的重要因素(并且可以如同逻辑和存储器电路一样重要或更重要)。在一些示例中，基于氮化镓的器件可以是有利的，因为与硅(Si；～1.1eV)相比，GaN具有宽带隙(～3.4eV)。与相似尺寸的Si晶体管相比，宽带隙可以允许GaN晶体管在遭受击穿之前耐受住较大的电场(例如，施加的电压VDD)。此外，GaN晶体管可以采用2D电子气(例如2D表层电荷)作为其传输沟道。例如，2D表层电荷可以形成在通过具有较大的自发极化和压电极化的电荷感应膜(例如GaN之上的氮化铝(AlN)...
【技术保护点】
一种晶体管，包括：设置在器件层之上的极化层；凸起源极、凸起漏极、以及在所述凸起源极和所述凸起漏极之间的栅极，其中所述极化层在所述凸起源极和所述凸起漏极之间，并且其中所述栅极设置在所述极化层之上；以及第一横向外延过生长和第二横向外延过生长，所述第一横向外延过生长设置在所述凸起源极之上并具有朝向所述栅极横向延伸的第一部分，所述第二横向外延过生长在所述凸起漏极之上并具有朝向所述栅极横向延伸的第二部分，其中所述第一横向过生长和所述第二横向过生长在所述第一部分和所述第二部分之间具有开口，并且其中至少所述栅极的邻近所述极化层的部分与所述开口对准。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶体管，包括：设置在器件层之上的极化层；凸起源极、凸起漏极、以及在所述凸起源极和所述凸起漏极之间的栅极，其中所述极化层在所述凸起源极和所述凸起漏极之间，并且其中所述栅极设置在所述极化层之上；以及第一横向外延过生长和第二横向外延过生长，所述第一横向外延过生长设置在所述凸起源极之上并具有朝向所述栅极横向延伸的第一部分，所述第二横向外延过生长在所述凸起漏极之上并具有朝向所述栅极横向延伸的第二部分，其中所述第一横向过生长和所述第二横向过生长在所述第一部分和所述第二部分之间具有开口，并且其中至少所述栅极的邻近所述极化层的部分与所述开口对准。2.权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极的顶部位于所述第一横向外延过生长的顶部下方。3.权利要求2所述的晶体管，进一步包括：第一间隙和第二间隙，所述第一间隙在所述栅极和所述第一横向外延过生长之间，所述第二间隙在所述栅极和所述第二第一横向外延过生长之间。4.权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极的第二部分在所述第一横向外延过生长的顶部上方和之上延伸。5.权利要求1所述的晶体管，其中所述第一横向外延过生长和所述第二横向外延过生长包括宽带隙半导体材料。6.权利要求1所述的晶体管，其中所述第一横向外延过生长和所述第二横向外延过生长包括氮化镓或氮化铝镓至少之一。7.权利要求1所述的晶体管，进一步包括：栅极电介质，其位于所述极化层和所述栅极的邻近所述极化层的所述部分之间。8.权利要求7所述的晶体管，其中所述栅极电介质在所述极化层和所述第一横向外延过生长的至少部分之上延伸。9.权利要求1所述的晶体管，其中所述极化层包括与所述开口对准的栅极凹部。10.权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极的邻近所述极化层的所述部分的宽度不宽于所述开口的宽度。11.权利要求1所述的晶体管，其中所述第一横向外延过生长和所述第二横向外延过生长关于所述栅极的中心线对称。12.权利要求1所述的晶体管，其中所述器件层、所述第一横向外延过生长、以及所述第二横向外延过生长包括氮化镓，所述凸起源极和所述凸起漏极包括氮化铟镓，并且所述极化层包括氮化铝铟。13.一种用于制造晶体管的方法，包括：在器件层之上设置极化层；形成凸起源极和凸起漏极，其中所述极化层在所述凸起源极和所述凸起漏极之间；在所述凸起源极之上形成第一横向外延过生长并且在所述凸起漏极之上形成第二横向外延过生长，其中所述第一横向外延过生长和所述第二横向外延过生长在所述第一横向外延过生长的横向延伸第一部分与所述第二横向外延过生长的横向延伸第二部分之间具有开口；以及在所述凸起源极和所述凸起漏极之间并在所述极化层之上设置栅极，其中至少所述栅极的邻近所述极化层的部分与所述开口对准。14.权利要求13所述的方法，其中形成所述第一横向外...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·W·田，S·达斯古普塔，S·M·宋，S·加德纳，M·拉多萨夫列维奇，R·周，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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