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论述了与具有自对准栅极的III‑N晶体管、包含这种晶体管的系统及用于形成这种晶体管的方法有关的技术。这种晶体管包括：位于凸起源极和凸起漏极之间的极化层；位于源极和漏极之间并在极化层之上的栅极；以及在源极和漏极之上并且在其间具有开口的横向外延...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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