半导体元件及其制造方法技术

本公开实施例提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括第一鳍状场效晶体管及接触条(源极/漏极接触层)。第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，往第一方向延伸，第一栅极结构，往与第一方向交叉的第二方向延伸，及第一源极/漏极结构。接触条位于第一源极/漏极结构之上，在平面图往与第一源极/漏极结构交叉的第二方向延伸。接触条包括：第一部分，位于第一源极/漏极结构之上，及第二部分。第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠。在平面图中，第二部分于第一方向的宽度小于第一部分于第一方向的宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本公开实施例涉及半导体元件的制造方法，且特别涉及在源极/漏极区域上接点结构的结构及其制造方法。
技术介绍
当半导体元件的尺寸缩小，外延源极/漏极结构被广泛的应用于制造鳍状场效晶体管(FinFET)。此外，接触条(源极/漏极(S/D)接触层)形成于外延源极/漏极结构之上，以电性连接鳍状场效晶体管的源极/漏极与上层金属线路。随元件密度增加(亦即半导体元件尺寸缩小)，鳍状场效晶体管中鳍结构与邻近的浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation,STI)接点之间的电性分离更为困难，这可能引起邻近的浅沟槽隔离接点与鳍结构之间的短路。
技术实现思路
根据本公开一实施例，半导体元件包括第一鳍状场效晶体管(FinFET)及接触条。第一鳍状场效晶体管，包括：第一鳍结构，往第一方向延伸，第一栅极结构，往与第一方向交叉的第二方向延伸，及第一源极/漏极(S/D)结构。接触条，位于第一源极/漏极结构之上，在平面图中往与第一源极/漏极结构交叉的第二方向延伸。接触条包括第一部分，位于第一源极/漏极结构之上，及一第二部分，第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，在平面图中，第二部分于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：一第一鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,FinFET)，包括：一第一鳍结构，往一第一方向延伸、一第一栅极结构，往与该第一方向交叉的一第二方向延伸、及一第一源极/漏极(S/D)结构；及一接触条(contact bar)，位于该第一源极/漏极结构之上，在平面图中往与该第一源极/漏极结构交叉的该第二方向延伸，其中：该接触条包括一第一部分，位于该第一源极/漏极结构之上，及一第二部分，该第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，及在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第一部分于该第一方向的宽度。

【技术特征摘要】
2016.02.10 US 62/293,625;2016.10.21 US 15/299,6411.一种半导体元件，包括：一第一鳍状场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)，包括：一第一鳍结构，往一第一方向延伸、一第一栅极结构，往与该第一方向交叉的一第二方向延伸、及一第一源极/漏极(S/D)结构；及一接触条(contactbar)，位于该第一源极/漏极结构之上，在平面图中往与该第一源极/漏极结构交叉的该第二方向延伸，其中：该接触条包括一第一部分，位于该第一源极/漏极结构之上，及一第二部分，该第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，及在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第一部分于该第一方向的宽度。2.如权利要求1所述的半导体鳍状场效晶体管元件，其中在剖面图中该第二部分的厚度小于该第一部分的厚度。3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一第二鳍状场效晶体管，包括：一第二鳍结构，往该第一方向延伸、一第二栅极结构，往该第二方向延伸、及一第二源极/漏极结构，其中：该接触条连接该第一源极/漏极结构及该第二源极/漏极结构，该接触条包括一第三部分，位于该第二源极/漏极结构之上，在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第三部分于该第一方向的宽度。4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括：一第三鳍状场效晶体管，包括一第三鳍结构，往该第一方向延伸、一第三栅极结构，往该第二方向延伸、及一第三源极/漏极结构，其中：该第一至第三鳍结构往该第一方向延伸，该第一至第三鳍结构沿与该第一方向交叉的该第二方向排列，沿该第二方向，该第三鳍结构的一末端正对该第二部分。5.一种半导体元件，包括多个鳍状场效晶体管(FinFETs)，各自包括：一鳍结构，往一第一方向延伸、一栅极结构，往与该第一方向交叉的一第二方向延伸、及一源极/漏极(S/D)结构；及多个接触条，位于该多个源极/漏极结构中的一第一源极/漏极结构之上，并往该第二方向延伸，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志豪，莫亦先，郭文晖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71