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本公开实施例提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括第一鳍状场效晶体管及接触条(源极/漏极接触层)。第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，往第一方向延伸，第一栅极结构，往与第一方向交叉的第二方向延伸，及第一源极/漏极结构。接触条位于第一源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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