The invention discloses a circuit for eliminating interference, flash programming includes a charge pump for producing a voltage driven bit line required; buck circuit for high voltage switching the charge pump to generate a control signal for low voltage low voltage to control the switch circuit; a first delay unit for signal delay EN license T1 output to control the voltage selection circuit for voltage selection; second delay unit for the output of the first delay unit delay time T2 output; a level shifter, for the output of the second delay unit of the electric converting a voltage control signal to control the switching circuit; switch circuit is used to select the output voltage high voltage control or high voltage control signal in the low voltage control signal output circuit and the level shifter outputs the voltage selection circuit used; Under the control of the output of the first delay unit, different voltages are output to the Vinh end, and the invention can avoid programming crosstalk and improve transmission efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种消除闪存编程干扰的电路
本专利技术涉及一种电路,特别是涉及一种消除闪存编程干扰的电路。
技术介绍
图1为存储器阵列示意图,该存储器阵列包含多个存储段ArraySlice、多个隔离电路、高压译码电路、低压译码电路以及行译码电路(未示出)、列译码电路(未示出),行译码输出之第一控制栅信号CG0<i>、第二控制栅信号CG1<i>、字线控制信号WL<i>连接至第i行存储段ArraySlice的行输入端,其中i=0、1、2、……、(n-1),n为存储器阵列的行数,高压译码电路的输出连接至第j列存储段ArraySlice的位线BL0<j>、BL1<j>、BL2<j>以及该列对应的隔离电路的输出端,其中i=0、1、2、……、(m-1),m为存储器阵列的列数,低压译码电路的输出连接至第j列存储段ArraySlice的对应的隔离电路的输入端(源端)TBL0<j>、TBL1<j>、TBL2<j>。图2为存储段ArraySlice和隔离电路的示意图,存储段ArraySlice的衬底接地,第一控制栅信号CG0<i>连接至第i行存储段ArraySlice的第一控制栅极,第一控制栅信号CG1<i>连接至第i行存储段ArraySlice的第二控制栅极,字线控制信号WL<i>连接至第i行存储段ArraySlice的字线控制端,第一控制栅信号CG0<i+1>连接至第i+1行存储段ArraySlice的第一控制栅极,第一控制栅信号CG ...
【技术保护点】
一种消除闪存编程干扰的电路,包括:电荷泵,用于产生驱动位线所需的电压;降压电路,用于将该电荷泵产生的高压转换为一较低电压的低压控制信号以控制开关电路;第一延迟单元,用于将许可信号EN延迟时间T1后输出以控制电压选择电路进行电压选择;第二延迟单元,用于将该第一延迟单元的输出延迟时间T2后输出;电平位移器,用于将该第二延迟单元的输出进行电平转换得到一高压控制信号以控制该开关电路;开关电路,用于在该降压电路输出的低压控制信号和该电平位移器输出的高压控制信号的控制下选择输出低压或高压;电压选择电路,用于在该第一延迟单元的输出的控制下输出不同电压至Vinh端。
【技术特征摘要】
1.一种消除闪存编程干扰的电路,包括:电荷泵,用于产生驱动位线所需的电压;降压电路,用于将该电荷泵产生的高压转换为一较低电压的低压控制信号以控制开关电路;第一延迟单元,用于将许可信号EN延迟时间T1后输出以控制电压选择电路进行电压选择;第二延迟单元,用于将该第一延迟单元的输出延迟时间T2后输出;电平位移器,用于将该第二延迟单元的输出进行电平转换得到一高压控制信号以控制该开关电路;开关电路,用于在该降压电路输出的低压控制信号和该电平位移器输出的高压控制信号的控制下选择输出低压或高压;电压选择电路,用于在该第一延迟单元的输出的控制下输出不同电压至Vinh端。2.如权利要求1所述的一种消除闪存编程干扰的电路,其特征在于:该开关电路包括一NMOS管与一PMOS管。3.如权利要求2所述的一种消除闪存编程干扰的电路,其特征在于:该降压电路将该电荷泵产生的高压转换为一较低电压的低压控制信号以控制该开关电路的NMOS管的输出电压。4.如权利要求3所述的一种消除闪存编程干扰的电路,其特征在于:该电平位移器将该第二延迟单元的输出进行电平转换得到一高压控制信号以控制该开关电路的PMOS管的输出电压。5.如权利要求4所述的一种消除闪存编程干扰的电路,其特征在于:该电荷泵的一路输出连接至该降压电路,另一路输出电压VSP1连接至该开关电路的NMOS管的漏极和PMOS管的源极及衬底,该降压电路的输出连接至该开关电路的NMOS管的栅极,该电平位移器的输出连接至该开关电路的PMOS管的栅极,该NMOS管的源...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨光军,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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