使用非线性滤波方案的存储器系统及其读取方法技术方案

一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。

【技术实现步骤摘要】
使用非线性滤波方案的存储器系统及其读取方法相关申请的交叉引用要求于2016年1月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2016-0003636的优先权，其全部内容通过引用的方式并入本文。
本公开涉及一种半导体存储器件，并且特别地，涉及一种能够以非线性滤波方案确定非易失性存储器件的读电平的存储器系统及其读取方法。
技术介绍
半导体存储器件大致分为易失性半导体存储器件或者非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件的特征在于读/写速度快，并且存储于其中的数据在断电时消失。相反，非易失性半导体存储器件即使在处于断电也保留存储于其中的数据。因此，非易失性半导体存储器件可以存储要保存的内容，而不管是否供应电源。非易失性存储器件的代表性实例是闪存装置。闪存装置被用作信息装置的语音和图像数据存储介质，诸如计算机、蜂窝电话，智能电话、个人数字助理(PDA)、数字照相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真装置、扫描仪和打印机。正在开发用于高容量、高速和低功率非易失性存储器件的技术，以将非易失性存储器件安装在诸如智能电话的移动装置中。由于需要大容量非易失性存储器件，因此每单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制非易失性存储器件的方法，该方法包括：从所述非易失性存储器件请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量；和通过非线性滤波操作处理所述第一采样值来估计具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量。

【技术特征摘要】
2016.01.12 KR 10-2016-00036361.一种用于控制非易失性存储器件的方法，该方法包括：从所述非易失性存储器件请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量；和通过非线性滤波操作处理所述第一采样值来估计具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量。2.如权利要求1所述的方法，其中所述非线性滤波操作包括在所述第一采样值之间选择中值。3.如权利要求1所述的方法，其中所述非线性滤波操作从所述第一采样值当中排除不被包括在预定义的阈值范围或特定等级范围中的采样值。4.如权利要求3所述的方法，还包括：通过向所述第一采样值当中的、包括在所述阈值范围或者所述特定等级范围中的每个采样值施加权重来计算平均值。5.如权利要求1所述的方法，还包括：请求多个第二采样值，该第二采样值中的每个采样值表示具有在第三采样读电压和第四采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量；和从所述第二采样值估计具有在第三采样读电压和第四采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量，其中所述第三采样读电压和第四采样读电压中的每者与所述第一采样读电压和第二采样读电压中的每者不同。6.如权利要求5所述的方法，还包括：使用估计的具有在所述第一采样读电压和所述第二采样读电压之间的阈值电压的存储器单元数量和估计的具有在所述第三采样读电压和所述第四采样读电压之间的阈值电压的存储器单元的数量，来确定读电压。7.如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器件包括每个具有电荷捕获层的存储器单元的三维存储器阵列。8.一种用于在包括三维堆叠的存储器单元的非易失性存储器件中确定读电压的方法，该方法包括：请求所述非易失性存储器件以获取对于多个电压带中的每个电压带的多个采样值；对于电压带中的每个电压带，执行相对于相应的采样值的非线性滤波操作，以估计具有在所述电压带内的阈值电压的存储器单元的数量；和使用所估计的对于电压带中的每个电压带的存储器单元的数量，来确定非易失性存储器件的读电压。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述读电压将第一存储器单元与第二存储器单元区分开，每个所述第一存储器单元具有对应于第一状态的阈值电压，每个所述第二存储器单元具有对应于第二状态的阈值电压。10.如权利要求8所述的方法，其中对于每个电压带，所述非线性滤波操作通过计算相应采样值的中值来估计具有在所述电压带内的阈值电压的存储器单元的数量。11.如权利要求8所述的方法，其中对于每个电压带，所述非线性滤波操作基于预定义阈值范围或特定等级范围内的相应采样值来估计具有在所述电压带内的阈值电压的存储器单元的数量。12.如权利要求11所述的方法，还包括：对于每个电压带，使用线性滤波操作处理所述预定义阈值范围或所述特定等级范围内的相应采样值，以估计具有在所述电压带内的阈值电压的存储器单元的数量。13.如权利要求11所述的方法，其中对于每个电压带，所述非易失性存储器件通过使用第一采样电压和第二采样电压感测选择的存储器单元来生成每个采样值。14.如权利要求13所述的方法，其中对于每个电压带，每个采样值表示具有在采样时刻在第一采样电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东燮，尹弼相，孙弘乐，孔骏镇，沈荣燮，韩真晚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR