电路器件制造技术

本发明专利技术的实施例公开了一种包括延迟电路、检测电路和偏置电路的器件。延迟电路被配置为响应于参考信号、第一偏置电压和第二偏置电压生成振荡信号。检测电路被配置为对振荡信号与参考信号进行比较以生成检测信号。偏置电路被配置为根据检测信号和参考电压来调整第一偏置电压和第二偏置电压。

【技术实现步骤摘要】
电路器件
本专利技术的实施例总体涉及电子电路领域，更具体地，涉及电路器件。
技术介绍
随着纳米技术的发展，集成电路的性能受到工艺变化的严重影响。在一些方法中，执行额外的测试程序以用于每管芯修整(per-dietrimming)。因此，制造的效率降低，并且引起不必要的开支。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种电路器件，包括：延迟电路，被配置为响应于参考信号、第一偏置电压和第二偏置电压而生成振荡信号；检测电路，被配置为对所述振荡信号与所述参考信号进行比较以生成检测信号；以及偏置电路，被配置为根据所述检测信号和参考电压来调整所述第一偏置电压和所述第二偏置电压。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的各方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，不同部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，不同部件的尺寸可以任意地增大或减少。图1A是根据本专利技术的不同实施例的反相器的示意图；图1B是根据本专利技术的不同实施例的对应于图1A中的反相器的工艺变化分布的曲线。图1C根据本专利技术的不同实施例的当图1A中的偏置电压增大时对应于图1A中的反相器的工艺变化分布的曲线。图1D本专利技术的不同实施例的当图1A中的偏置电压减小时对应于图1A中的反相器的工艺变化分布的曲线。图2是根据本专利技术的不同实施例的用于调整图1中的偏置电压的器件的示意图。图3是根据本专利技术的不同实施例的校准方法的流程图。图4是根据本专利技术的不同实施例的用于调整图1A中的偏置电压的器件的示意图。图5是根据本专利技术的不同实施例的包含图4中的器件的晶圆的示意图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触而形成的实施例，并且也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在不同实例中重复参考标号和/或字符。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的不同实施例和/或配置之间的关系。本说明书中使用的术语通常具有其在本领域中以及在使用每一个术语的具体的内容中的普通含义。本说明书中使用的实例，包括本文所讨论的任何术语的实例，仅是示例性的，并且绝不是限制本专利技术的或任何示例性术语的范围和意义。同样地，本专利技术不限于该说明书中给出的不同实施例。尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等以描述不同元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本专利技术的范围的情况下，可以将第一元件叫做第二元件，并且类似地，可以将第二元件叫做第一元件。此处所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关联列项目的任何和所有组合。图1A是根据本专利技术的不同实施例的反相器100的示意图。图1B是根据本专利技术的不同实施例的对应于图1A中的反相器100的工艺变化分布的曲线。如图1A中示意性示出，反相器100包括开关M1和M2。开关M1的第一端被配置为接收电压VDD，开关M1的第二端被配置为输出输出信号VOUT，并且开关M1的控制端被配置为接收参考信号REF。开关M2的第一端连接至开关M1的第二端，开关M2的第二端连接至地，并且开关M2的控制端子连接至开关M1的控制端。开关M1被配置为被参考信号REF导通以将开关M1的第二端的电压电平拉至电压VDD。开关M2被配置为被参考信号REF导通以将开关M1的第二端的电压电平拉至地。在参考信号REF转化期间，例如从高电压电平至低电压电平，开关M2导通，而开关M1断开。具有逻辑值为0的输出信号VOUT通过开关M2的下拉操作相应地生成。可选地，在参考信号REF的转化期间，例如从低电压电平至高电压电平，开关M1导通，而开关M2断开。具有逻辑值为1的输出信号VOUT通过开关M1的上拉操作相应地生成。如上描述，在开关M2的下拉操作或者开关M1的上拉操作执行之后生成输出信号VOUT。有效地，通过反相器100，延迟Td被引入至参考信号REF，以便生成输出信号VOUT。在不同实施例中，延迟Td随着工艺变化而变化。为了说明，如图1B中示出，通过测量由足够数量的反相器100生成的输出信号VOUT，并且通过利用正态(高斯)分布，能够获得对应于反相器100的工艺变化分布的曲线120。根据曲线120，由大多数反相器100生成的输出信号VOUT具有目标频率FT，而由少数反相器100生成的输出信号VOUT具有低于或高于目标频率FT的频率。对应于目标频率FT的反相器100分布在典型-典型的(TT)工艺角122中。对应于低于目标频率FT的频率的反相器100分布在慢-慢(SS)工艺角124中。对应于高于目标频率FT的频率的反相器100分布在快-快(FF)工艺角126中。如果分布在SS工艺角124和FF工艺角126的反相器100的数量过大，则制造的产量损失显著增大。继续参考图1A，在一些实施例中，开关M1和M2用各种类型的晶体管来实现。在又一些实施例中，开关M1和M2用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)来实现。为了说明，如图1A中示出，开关M1用P型MOSFET来实现，并且开关M2以N型MOSFET来实现。当参考信号REF与电压VDD之间的压降高于开关M1的阈值电压时，开关M1导通。当参考信号REF与地之间的压降高于开关M2的阈值电压时，开关M2导通。在一些实施例中，开关M1还包括被配置为接收偏置电压VBP的基极(bulk)端，并且开关M2还包括被配置为接收偏置电压VBN的基极端。在一些实施例中，开关M1的阈值电压能够被偏置电压VBP调整。在一些实施例中，开关M2的阈值电压能够被偏置电压VBP调整。图1C是根据本专利技术的不同实施例的当偏置电压VBN增大时对应于图1A中的反相器100的工艺变化分布的曲线。图1D是根据本专利技术的不同实施例的当偏置电压VBN减小时对应于图1A中的反相器100的工艺变化分布的曲线。在一些实施例中，当偏置电压VBN增大时，开关M2的阈值电压减小。为了说明，与图1B中的曲线120相比，在图1C中示出的一些实施例中，当偏置电压增大时，工艺变化分布的曲线120A朝着更高的频率移动。换句话说，位于图1B中的SS工艺角124的反相器100A通过施加偏置电压VBN而被校准以生成具有更高频率的输出信号VOUT。结果，有效地减小了产量损失。可选地，在其他的一些实施例中，当电压VBN减小时，开关M2的阈值电压增大。为了说明，与图1B中的曲线120相比，在图1D中示出的一些实施例中，工艺变化分布的曲线120B移至更低的频率。换句话说，位于图1B中的FF工艺角126的反相器100A通过施加偏置电压VBN而被校准以生成具有更低频率的输出信号VOUT。结果，有效地减小了产量损失。对应于偏置电压VBN，在一些实施例中，当偏置电压VBP增大时，开关M1的阈值电压增大。相应地，工艺变化分布的曲线120移向更低的频率。可选地，在其他的一些实施例中，当电压VBP减小时，开关M1的阈值电压减小。相应地，工艺变化分布的曲线120移向更高的频率。就操作速度而言，在一些方法中，反相器100被超裕度设计至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路器件，包括：延迟电路，被配置为响应于参考信号、第一偏置电压和第二偏置电压而生成振荡信号；检测电路，被配置为对所述振荡信号与所述参考信号进行比较以生成检测信号；以及偏置电路，被配置为根据所述检测信号和参考电压来调整所述第一偏置电压和所述第二偏置电压。

【技术特征摘要】
2015.10.30 US 14/929,0621.一种电路器件，包括：延迟电路，被配置为响应于参考信号、第一偏置电压和第二偏置电...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾健忠，袁立本，邵志杰，李芊瑢，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71