半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术揭露一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包含基板、至少一主动区、至少一栅极结构，及绝缘结构。主动区位于至少部分基板内。栅极结构位于主动区上。栅极结构具有至少一端侧壁及顶表面，端侧壁与顶表面交会以形成顶部内角。顶部内角为锐角。绝缘结构位于基板上并相邻于栅极结构的端侧壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本专利技术实施例是关于一种半导体元件及其制造的方法。
技术介绍
半导体产业至今发展至纳米技术制程，以追求更高元件密度、更佳的效能以及更低的开销，在这样的挑战的下，元件的制造及设计扩展至三维的发展，如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor；FinFET)。鳍式场效晶体管包含加长的半导体鳍，往与基板面垂直的方向上延伸。场效晶体管的通道形成在此鳍内。在鳍的上方提供栅极(如：包覆栅极)。鳍式场效晶体管可以降低短通道效应(shortchanneleffect)。
技术实现思路
本专利技术的一实施例的半导体元件包含基板、至少一主动区、至少一栅极结构、及至少一绝缘结构。至少部分主动区位于基板内。栅极结构位于主动区上。栅极结构具有至少一端侧壁及顶表面互相交会并形成顶部内角。顶部内角为锐角。绝缘结构与栅极结构的端侧壁相邻且位于基板上。本专利技术的另一实施例的半导体元件包含基板、至少二主动区、至少二栅极结构、及一绝缘结构。至少部分主动区位于基板内。栅极结构分别位于主动区上。绝缘结构位于至少二栅极结构之间。绝缘结构具有顶表面。绝缘结构往其顶表面的方向逐渐变窄。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；至少一主动区，位于至少部分该基板内；至少一栅极结构，位于该主动区上，其中该栅极结构具有至少一端侧壁及一顶表面，该端侧壁及该顶表面交会以形成一顶部内角，该顶部内角为一锐角；以及一绝缘结构，相邻于该栅极结构的该端侧壁且位于该基板上。

【技术特征摘要】
2016.01.28 US 62/288,238;2016.04.01 US 15/089,3801.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；至少一主动区，位于至少部分该基板内；至少一栅极结构，位于该主动区上，其中该栅极结构具有至少一端侧壁及一顶表面，该端侧壁及该顶表面交会以形成一顶部内角，该顶部内角为一锐角；以及一绝缘结构，相邻于该栅极结构的该端侧壁且位于该基板上。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该栅极结构还包含一底表面，该底表面及该栅极结构的该端侧壁交会以形成一底部内角，该底部内角为一钝角。3.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；至少二主动区，位于至少部分该基板内；至少二栅极结构，分别位于该至少二主动区上；以及一绝缘结构，位于所述栅极结构之间，其中该绝缘结构具有一顶表面，该绝缘结构往该绝缘结构的该顶表面的方向逐渐变窄。4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该绝缘结构还具有与其中一所述栅极结构相邻的一侧壁，该侧壁及该绝缘结构的该顶表面交会以形成一顶部内角，该顶部内角为一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71