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本发明揭露一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包含基板、至少一主动区、至少一栅极结构，及绝缘结构。主动区位于至少部分基板内。栅极结构位于主动区上。栅极结构具有至少一端侧壁及顶表面，端侧壁与顶表面交会以形成顶部内角。顶部内角为锐角。绝缘结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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