非易失性存储器装置及其读取方法制造方法及图纸

非易失性存储器装置及其读取方法。该非易失性存储器装置包括一非易失性存储器以及一控制器。控制器根据非易失性存储器所存储的一读取表格建立一标准表格以及至少一优先表格。控制器使用优先表格所存储的索引值所对应的读取电压来读取非易失性存储器所存储的码字再进行解码，可得到一较高的解码成功率。当控制器无法解码非易失性存储器的码字时，控制器使用标准表格里的索引值所对应的读取电压来读取相同码字再进行解码。

Nonvolatile memory device and reading method thereof

Nonvolatile memory device and reading method thereof. The nonvolatile memory device includes a non-volatile memory as well as a controller. A controller establishes a standard table and at least one priority table based on a read table stored by the non-volatile memory. The controller uses the read voltage corresponding to the index value stored in the priority table to read the code stored by the non-volatile memory, and then decodes it to obtain a higher decoding success rate. When the controller cannot decode the code words of the non-volatile memory, the controller reads the same codeword using the read voltage corresponding to the index value in the standard table, and then decodes it.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置及其读取方法
本专利技术涉及一种非易失性存储器装置，特别涉及一种记录解码码字成功率较高的读取电压的非易失性存储器装置及其读取方法。
技术介绍
存储器主要分为两大类，一是易失性存储器(Volatilememory)，另一是非易失性存储器(Non-Volatilememory)。易失性存储器的存取速度快，但在关机后，易失性存储器所存储的数据将会全部遗失。相反地，即使关机，非易失性存储器仍可维持数据。然而，非易失性存储器所存储的数据可能会因种种原因，如放置的时间太久而发生电荷流失(chargeloss)、读取干扰(readdisturb)或是编程干扰(programdisturb)等现象，因而若继续以固定的读取电压读取数据，则可能无法正确地读取数据。
技术实现思路
本专利技术提供一种非易失性存储器装置，包括一非易失性存储器以及一控制器。非易失性存储器存储多个数据以及一读取表格。读取表格记录多个索引值。不同的索引值对应不同的读取电压。控制器依据读取表格所存储的索引值建立一标准表格，并根据标准表格中的一第一索引值所对应的读取电压读取非易失性存储器所存储的一第一码字。控制器对第一码字进行一错误检查校正。当第一码字通过一错误检查校正时，控制器根据第一索引值建立一优先表格。本专利技术还提供一种读取方法，适用于一非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包含一控制器以及一非易失性存储器。非易失性存储器用以存储多个数据以及一读取表格。本专利技术的读取方法包括，依据读取表格所存储的多个索引值建立一标准表格，不同的索引值对应不同的读取电压；根据标准表格中的一第一索引值所对应的读取电压读取非易失性存储器所存储的第一码字；对第一码字进行一错误检查校正；以及当第一码字通过错误检查校正时，根据第一索引值建立一优先表格。本专利技术又提供一种非易失性存储器装置，包括一非易失性存储器以及一控制器。控制器根据非易失性存储器所存储的一读取表格建立一标准表格以及至少一优先表格，控制器优先使用优先表格所存储的索引值所对应的读取电压读取非易失性存储器所存储的码字再进行解码，当控制器无法解码时，控制器使用标准表格里的索引值所对应的读取电压来读取相同码字再进行解码。为让本专利技术的特征和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术的非易失性存储器装置的示意图。图2为本专利技术的读取表格、标准表格与优先表格的示意图。图3为本专利技术的读取方法的示意图。【符号说明】100：非易失性存储器装置；110：非易失性存储器；111：读取表格；120：控制器；130：微处理器；140：存储器；141、143、144：优先表格；142：标准表格；150：错误检查校正电路；S311～S318：步骤。具体实施方式图1为本专利技术的非易失性存储器装置的示意图。如图所示，非易失性存储器装置100包括一非易失性存储器110以及一控制器120。在一可能实施例中，非易失性存储器110可为一与非门快闪存储器(NANDFLASH)，但并非用以限制本专利技术。非易失性存储器110由多个存储器胞(cell)所构成。本专利技术并不限定该等存储器胞的架构。在一可能实施例中，非易失性存储器110的存储器胞为单层存储单元(Single-LevelCell)，用以存储1位的数据。在另一可能实施例中，非易失性存储器110的存储器胞为多层存储单元(Multi-LevelCell)，用以存储2位的数据。在其它实施例中，非易失性存储器110的存储器胞为三层存储单元(Triple-LevelCell)，用以存储3位的数据。非易失性存储器110用以存储多个数据以及一读取表格111。在本实施例中，读取表格111记录多个索引值。每一索引值对应一读取电压。不同的索引值对应不同的读取电压。藉由该读取电压判断非易失性存储器110的每一存储器胞所存储的数据为0或1。在一可能实施例中，读取表格111事先存储在非易失性存储器110中。控制器120用以存取非易失性存储器110。在本实施例中，控制器120依据该读取表格111所存储的这些索引值建立一标准表格142，控制器120再根据该标准表格142中所存储的索引值，使用相对应的读取电压读取非易失性存储器110所存储的数据。在另一可能实施例中，控制器120并不建立标准表格。在此例中，控制器120直接根据读取表格111所存储的这些索引值，使用相对应的读取电压读取非易失性存储器110所存储的数据。如图所示，控制器120包括一微处理器130、一存储器140以及一错误检查校正(ErrorCheckingandCorrecting)电路150。微处理器130根据一外部装置(未显示)的一写入指令(未显示)将一写入数据存储至非易失性存储器110中，或是根据外部装置所提供的一读取指令(未显示)读取非易失性存储器110所存储的数据。举例而言，在一写入模式下，微处理器130将一写入数据送入错误检查校正电路150，用以产生一错误校正码(ErrorCorrectingCode)，并将写入数据连同错误校正码一起存入非易失性存储器110中。在一读取模式下，微处理器130根据标准表格142所存储的索引值，使用相对应的读取电压读取非易失性存储器110所存储的先前写入数据以及对应的错误校正码。在本实施例中，上述先前写入数据以及对应的错误校正码称为一个码字(codeword)。在一可能实施例中，微处理器130提取读取表格111所存储的索引值，并将提取结果存入标准表格142。本专利技术并不限定微处理器130如何提取读取表格111所存储的索引值。微处理器130可能依序或是随机提取读取表格111所存储的索引值，并将提取结果依序或是随机存入标准表格142中。微处理器130再根据存储器140所存储的标准表格142所记录的一第一索引值所对应的读取电压，读取非易失性存储器110的一第一地址的一第一码字，并将该第一码字中的错误校正码送入错误检查校正电路150。错误检查校正电路150根据该第一码字中的错误检查码，判断该第一码字中的先前写入数据中的错误位的数量是否超过一容忍值。当该第一码字中的先前写入数据中的错误位的数量超过该容忍值时，该第一码字将无法通过错误检查校正(亦称作解码失败)。因此，微处理器130根据标准表格142里的一第二索引值所对应的读取电压，重新读取该第一码字，并判断该第一码字是否可通过错误检查校正。若该第一码字仍无法通过错误检查校正时，微处理器130再根据标准表格142里的一第三索引值所对应的读取电压读取该第一码字，并判断该第一码字是否可通过错误检查校正。如果该第一码字可通过错误检查校正，表示该第一码字中的先前写入数据中的错误位能够被错误检查校正电路150修正为正确(亦称作解码成功)。由于错误检查校正电路150成功解码该第一码字，则微处理器130将第三索引值(一特定索引值)存入一优先表格141中，并在下一次的读取操作下，先使用优先表格141所存储的第三索引值所对应的读取电压。在微处理器130建立优先表格141后，当需要进行一读取操作时，微处理器130会根据优先表格141所记录的最新索引值(例如第三索引值)所对应的读取电压读取非易失性存储器110的一第二地址的第二码字，并对该第二码字进行错误检查校正。错本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器装置，包括：非易失性存储器，存储多个数据以及读取表格，该读取表格记录多个索引值，不同的索引值对应不同的读取电压；以及控制器，依据该读取表格所存储的这些索引值建立标准表格，以及根据该标准表格中的第一索引值所对应的读取电压读取该非易失性存储器所存储的第一码字，并对该第一码字进行错误检查校正，当该第一码字通过该错误检查校正时，该控制器根据该第一索引值建立优先表格。

【技术特征摘要】
2016.09.21 TW 105130409;2015.10.28 US 62/247,201;21.一种非易失性存储器装置，包括：非易失性存储器，存储多个数据以及读取表格，该读取表格记录多个索引值，不同的索引值对应不同的读取电压；以及控制器，依据该读取表格所存储的这些索引值建立标准表格，以及根据该标准表格中的第一索引值所对应的读取电压读取该非易失性存储器所存储的第一码字，并对该第一码字进行错误检查校正，当该第一码字通过该错误检查校正时，该控制器根据该第一索引值建立优先表格。2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，当该第一码字未通过该错误检查校正时，该控制器根据该标准表格中的第二索引值所对应的读取电压读取该第一码字，并对该第一码字进行该错误检查校正。3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该控制器提取该读取表格的所述索引值，用以存入该标准表格，该标准表格记录所述索引值。4.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中当该第一码字通过该错误检查校正时，该控制器遮罩或是移除该标准表格里的该第一索引值。5.如权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中当该优先表格所记录的索引值的数量大于预设数量时，该控制器移除该优先表格里的最先存入的索引值，并取消遮罩该标准表格里对应的该索引值或是将该索引值写入该标准表格中。6.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中在下次进行读取操作时，该控制器根据该优先表格中的该第一索引值所对应的读取电压读取该非易失性存储器所存储的第二码字，并对该第二码字进行该错误检查校正。7.如权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中当该第二码字未通过该错误检查校正时，该控制器根据该优先表格中的其他索引值所对应的读取电压读取该第二码字。8.如权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中当该控制器无法根据该优先表格中的所有索引值所对应的读取电压解码该第二码字时，则该控制器根据该标准表格中的特定索引值所对应的读取电压读取该第二码字。9.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该控制器建立多个优先表格，该控制器在不同非易失性存储器管理的操作下，使用不同的优先表格。10.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该标准表格的所述索引值的排列顺序相同于该读取表格的所述索引值的排列顺序。11.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该控制器还包括易失性存储器，该易失性存储器存储该优先表格以及该标准表格。12.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该控制器以该优先表格中所存储的索引值所对应的读取电压读取该非易失性存储器所存储的码字的解码成功率高于以该标准表格中所存储的索引值所对应的读取电压读取该非易失性存储器所存储的码字的解码成功率。13.一种读取方法，适用于非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包含控制器以及非易失性存储器，其中该非易失性存储器用以存储多个数据以及读取表格，该读取方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴颖煜，朱江力，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71