A non substrate GaN based microcrystalline powder LED light-emitting diode, including: a n GaN based compound semiconductor layer; a quantum well heterojunction or active layer, its production in the N type GaN based compound semiconductor layer; a p GaN based compound semiconductor layer and its production in quantum well heterojunction or active layer on a P electrode; its production on P GaN based compound semiconductor layer; a N electrode, its production in the N type GaN based compound semiconductor layer on the other side; the N type GaN based compound semiconductor layer, quantum well heterojunction or active layer, P type GaN based compound semiconductor layer P and N electrodes composed of single crystal. The invention can reduce the use cost of the GaN base LED and expand the application field of the GaN based LED.
【技术实现步骤摘要】
无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法
本专利技术用于半导体光电子器件制造
,具体涉及到一种无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法。
技术介绍
GaN基半导体是新型的宽禁带直接带隙半导体材料,具有优异的物理、化学性质。基于InGaN量子阱结构的大功率LED是当前半导体光电子研究领域的热点和相关产业发展龙头。当前III族氮化物在彩色显示、装饰照明灯诸多领域得到了广泛应用。目前芯片成本及应用封装过程中产生的高额费用,已经成为限制GaN基LED进一步广泛应用的重要瓶颈。在现有技术中,GaN基LED通常采用单管芯或少数管芯模组封装的方式,同时串并联的方式实现色彩和显示图像的控制。该方法操作复杂,工期长,造价昂贵,同时需要交流/直流转换。本专利技术提供了无衬底GaN基LED单颗晶粒的制备方法及一种低成本、简洁、快速的无衬底GaN基LED单颗晶粒的使用方法。该方法无需单管芯封装,其可以与胶体混合后,直接覆盖于待装饰表面,同时可使用直流或交流电源。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法。该方法通过过渡性衬底及激光剥离,制备出无衬底GaN基LED单颗晶粒。其是通过涂覆或喷涂的方式,将混有无衬底GaN基LED单颗晶粒的半绝缘胶体覆盖于待装饰表面,该表面可以为建筑外墙、广告板、装饰墙、服装或丝织品。通过上下电极实现对无衬底GaN基LED单颗晶粒的电流注入。本专利技术为降低GaN基LED使用成本,拓展GaN基LED的应用领域提供了一种有效途径。本专利技术提供一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管,包括:一n型GaN基化合 ...
【技术保护点】
一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管,包括:一n型GaN基化合物半导体层;一量子阱或异质结有源层,其制作在n型GaN基化合物半导体层上;一p型GaN基化合物半导体层,其制作在量子阱或异质结有源层上;一P电极,其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面;一N电极,其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上;其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒。
【技术特征摘要】
1.一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管,包括:一n型GaN基化合物半导体层;一量子阱或异质结有源层,其制作在n型GaN基化合物半导体层上;一p型GaN基化合物半导体层,其制作在量子阱或异质结有源层上;一P电极,其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面;一N电极,其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上;其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒。2.根据权利要求1所述的无衬底GaN基LED单颗晶粒,其中量子阱或异质结有源层为二元、三元或四元氮化镓系化合物半导体材料。3.根据权利要求1所述的无衬底GaN基LED单颗晶粒,其中P、N电极为金属电极或透明导电电极。4.根据权利要求1所述的无衬底GaN基LED单颗晶粒,其中所述单颗晶粒横向与纵向尺寸均为0.05-1000um。5.一种无衬底GaN基LED单颗晶粒的制备方法,其中包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依次生长n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层和p型GaN基化合物半导体层;步骤2:在p型Ga...
【专利技术属性】
技术研发人员:伊晓燕,刘志强,何志,段瑞飞,黄洋,王军喜,李晋闽,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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