具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法技术

本发明专利技术提供一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法，生长方法包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，所述每个量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa1‑yN，并且所述量子阱层包含M个AlxGa1‑xN‑GaN量子点，其中，1≤Q≤50，1≤M≤10，0＜x＜1，0＜y＜1，x＜y，且Q、M均为正整数；3)在所述Q个量子阱结构上，从下至上依次生长电子阻挡层、P型掺杂AlvGa1‑vN层和P型掺杂GaN层，其中，0＜v＜1，v＞y。本发明专利技术能够极大地提高电子空穴复合几率，提高紫外LED的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法
本专利技术涉及一种紫外LED的外延结构，尤其涉及一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法，属于发光二极管(Light-EmittingDiode，简称LED)

技术介绍
随着我国科技水平的进步，制造业的持续发展，生活水平也得到不断地改善，物质生活和精神生活都有大幅的提升。然而近年来雾霾、水污染等的加重给日益改善的生活水平增添了瑕疵，空气和水等携带的细菌正在侵蚀我们的健康。为了保护自身的健康，各种消毒杀菌装置孕育而生，如空气净化器，水处理器。而这些杀菌装置的最主要杀菌功能部件为紫外灯，目前比较热门的是采用深紫外LED灯。紫外LED杀菌的原理是利用LED产生的适当波长紫外线对细菌的脱氧核糖核酸(DNA)和核糖核酸(RNA)的分子键进行破坏，破坏原有细菌菌落并阻止细菌的复制繁殖，达到杀死细菌的目的。紫外杀菌技术利用高强度深紫外线照射，能够将各种细菌、病毒、寄生虫、水藻以及其他病原体直接杀死，目前被广泛应用于民生、医疗以及生产制造行业。因深紫外LED的杀菌功能，现在对深紫外LED的研究也趋于热门。目前深紫外LED主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，所述每个量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa1‑yN，并且所述量子阱层包含M个AlxGa1‑xN‑GaN量子点，其中，1≤Q≤50，1≤M≤10，0＜x＜1，0＜y＜1，x＜y，且Q、M均为正整数；3)在所述Q个量子阱结构上，从下至上依次生长电子阻挡层、P型掺杂AlvGa1‑vN层和P型掺杂GaN层，其中，0＜v＜1，v＞y。

【技术特征摘要】
1.一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，所述每个量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa1-yN，并且所述量子阱层包含M个AlxGa1-xN-GaN量子点，其中，1≤Q≤50，1≤M≤10，0＜x＜1，0＜y＜1，x＜y，且Q、M均为正整数；3)在所述Q个量子阱结构上，从下至上依次生长电子阻挡层、P型掺杂AlvGa1-vN层和P型掺杂GaN层，其中，0＜v＜1，v＞y。2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，若M＝1，则所述步骤2)包括：a.调节温度为900～1200℃，压力为30～200torr；通入氢气、三甲基镓、三甲基铝、硅原子以及氨气，生长量子垒层AlyGa1-yN，其中，所述量子垒层AlyGa1-yN的垒宽为2～25nm；b.通入氢气、三甲基镓、三甲基铝以及氨气，生长所述量子阱层中的AlxGa1-xN，其中所述AlxGa1-xN的阱宽为1～5nm；c.降温至800～1200℃，压力为30～200torr；通入氢气、三甲基镓以及氨气，生长所述量子阱层中的GaN量子点，所述GaN量子点的厚度为1～20个原子层级；d.重复步骤a～cQ次。3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，若2≤M≤10，则所述步骤2)包括：A.调节温度为900～1200℃，压力为30～200torr，通入氢气、三甲基镓、三甲基铝、硅原子以及氨气，生长量子垒层AlyGa1-yN...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小辉，王小文，康建，梁旭东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34