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本发明提供一种具有氮化镓量子点的紫外LED的外延结构及其生长方法，生长方法包括如下步骤：1)在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层；2)在所述N型掺杂层上生长Q个量子阱结构，所述每个量子阱结构包含量子阱层和量子垒层AlyGa...
该专利属于圆融光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技股份有限公司授权不得商用。

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