一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供基底，在所述基底上依次形成底部电极层、绝缘层和顶部电极层；在所述顶部电极层上沉积形成缓冲层，其中，所述缓冲层具有与所述顶部电极层相接近的热膨胀系数；在所述缓冲层上形成阻挡层。根据本发明专利技术的制造方法，在顶部电极层与阻挡层TiN之间增加一层Ti，由于Ti与金属AlCu的热膨胀系数接近，因此可以使得Al和Ti能更好的粘合在一起，而不会在之后的工艺中将上层的TiN阻挡层挤裂，而使光阻流入下层的顶部电极层并与顶部电极层中的金属反应，进而避免了MIM局部刻蚀残留物缺陷的产生，提高了器件的良率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展集成电路以及大型的集成电路得到广泛的应用，组成集成电路的元器件中可以是无源的或者是有源的，当所述元器件为无源器件时成为集成无源器件(integratedpassivedevice，IPD)，IPD提供高精度电容及高性能电感等无源器件的集成，目前在射频上的应用成为新热点。所述无源器件中包括金属-绝缘层-金属电容(MIM)，金属-绝缘层-金属电容由于其性能优越，越来越多的应用于IC中。然而，如图1A-1E示出了现有的MIM制程的主要步骤：首先，如图1A所示，在基底(未示出)上依次沉积形成下极板材料层100、绝缘层101、上极板材料层102以及氮化钛层103，其中下极板材料层100和上极板材料层102的材料均为Al，在采用PVD法沉积铝薄膜时，脱气温度越高Al薄膜的表面粗糙度越差，如图1B所示，而上极板的Al薄膜103和其上方的TiN薄膜103的热膨胀系数相差比较大，当温度升高的时候TiN薄膜103会裂开导致其上方的光阻层104会向下流入到上极板材料层102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上依次形成底部电极层、绝缘层和顶部电极层；步骤S2：在所述顶部电极层上沉积形成缓冲层，其中，所述缓冲层具有与所述顶部电极层相接近的热膨胀系数；步骤S3：在所述缓冲层上形成阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上依次形成底部电极层、绝缘层和顶部电极层；步骤S2：在所述顶部电极层上沉积形成缓冲层，其中，所述缓冲层具有与所述顶部电极层相接近的热膨胀系数；步骤S3：在所述缓冲层上形成阻挡层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括Ti。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化钛。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述底部电极层和顶部电极层的材料选自铝、铜或其组合。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法沉积形成所述顶部电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉洁，张伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31