集成电感结构制造技术

本发明专利技术涉及集成电感结构。一种8字型集成电感，包含：一第一端点；一第二端点；一第三端点；一跨接结构，包含一第一金属线段及一第二金属线段，该第一金属线段及该第二金属线段位于半导体结构的不同金属层，且部分重叠；一第一感应单元，以该第一端点及该第三端点为其两端，并包含该第一金属线段；以及一第二感应单元，以该第二端点及该第三端点为其两端，并包含该第二金属线段及一第三金属线段，该第三金属线段位于不同于该第二金属线段的金属层，与该第二感应单元的其它金属线段互相导通，但不跨越该第一感应单元的金属线段。

【技术实现步骤摘要】
集成电感结构
本专利技术涉及集成电感，尤其涉及具有高对称性的集成电感。
技术介绍
电感为射频集成电路中用来实现阻抗匹配等功能的重要组件，随着集成电路往系统单芯片(SystemonChip，SoC)发展，集成电感(integratedinductor)已逐渐取代传统的分离式组件，而被广泛地使用在射频集成电路中。然而，半导体结构中的不同金属层通常具有不同的电阻值，集成电感往往因为使用不同的金属层来实作跨接结构而造成其两个感应单元的电感值不匹配，电感值会因为电阻值的上升而上升，因此，如何制作电感值匹配以及电阻值匹配的集成电感成为一个重要的课题。
技术实现思路
鉴于先前技术的不足，本专利技术的一目的在于提供一种集成电感结构，以提高集成电感的感应单元的对称性。本专利技术公开一种8字型集成电感，包含：一第一端点；一第二端点；一第三端点；一跨接结构，包含一第一金属线段及一第二金属线段，该第一金属线段及该第二金属线段位于半导体结构的不同金属层，且部分重叠；一第一感应单元，以该第一端点及该第三端点为其两端，并包含该第一金属线段；以及一第二感应单元，以该第二端点及该第三端点为其两端，并包含该第二金属线段及一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种8字型集成电感，包含：一第一端点；一第二端点；一第三端点；一跨接结构，包含一第一金属线段及一第二金属线段，该第一金属线段及该第二金属线段位于半导体结构的不同金属层，且部分重叠；一第一感应单元，以该第一端点及该第三端点为其两端，并包含该第一金属线段；以及一第二感应单元，以该第二端点及该第三端点为其两端，并包含该第二金属线段及一第三金属线段，该第三金属线段位于不同于该第二金属线段的金属层，与该第二感应单元的其它金属线段互相导通，但不跨越该第一感应单元的金属线段。

【技术特征摘要】
1.一种8字型集成电感，包含：一第一端点；一第二端点；一第三端点；一跨接结构，包含一第一金属线段及一第二金属线段，该第一金属线段及该第二金属线段位于半导体结构的不同金属层，且部分重叠；一第一感应单元，以该第一端点及该第三端点为其两端，并包含该第一金属线段；以及一第二感应单元，以该第二端点及该第三端点为其两端，并包含该第二金属线段及一第三金属线段，该第三金属线段位于不同于该第二金属线段的金属层，与该第二感应单元的其它金属线段互相导通，但不跨越该第一感应单元的金属线段。2.根据权利要求1所述的8字型集成电感，其中，该8字型集成电感包含一第一线圈及一第二线圈，该第一线圈及该第二线圈以该跨接结构相连接，该第一线圈的其中一部分金属线段属于该第一感应单元，另一部分金属线段属于该第二感应单元，该第二线圈的其中一部分金属线段属于该第一感应单元，另一部分金属线段属于该第二感应单元，该第一线圈及该第二线圈皆为单圈结构。3.根据权利要求1所述的8字型集成电感，更包含：一第一连接结构，垂直于该第三金属线段，用来连接该第三金属线段与该第二感应单元的其它金属线段；以及一第二连接结构，垂直于该第三金属线段，用来连接该第三金属线段与该第二感应单元的其它金属线段；其中，在该第一连接结构与该第二连接结构之间，该第二感应单元在该第二金属线段所属的金属层中不包含金属线段。4.根据权利要求1所述的8字型集成电感，其中，在该第三金属线段在该第二金属线段所属的金属层的投影范围内，该第二感应单元不包含金属线段。5.根据权利要求1所述的8字型集成电感，更包含：一第四金属线段，属于该第二感应单元的一部分，位于不同于该第二金属线段的金属层，与该第二感应单元的其它金属线段互相导通，但不跨越该第一感应单元的金属线段；其中，该第三金属线段及该第四金属线段在该第二感应单元的位置对称于该跨接结构。6.一种8字型集成电感，由一第一感应单元及一第二感应单元所组成，包含：一第一端点，作为该第一感应单元的一端；一第二端点，作为该第二感应单元的一端；一第三端点，作为该第一感应单元及...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，罗正玮，简育生，叶达勋，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71