半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体封装和标记。半导体封装包括包含热从其产生的热点的半导体芯片、以及包覆半导体芯片的模制层。标记被布置在半导体封装上。标记形成在半导体封装的与热点的位置对应的区域中。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术构思的示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括指示热点的位置的标记的半导体器件。
技术介绍
对于小且轻的电子产品有越来越多的需求，因此对小且轻的半导体封装也有越来越多的需求。半导体封装可以遭受在其运行过程中出现的热应力。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施方式提供一种具有改善的热特性的半导体器件。本专利技术构思的示例实施方式提供一种具有改善的散热特性的半导体器件。作为结果，通常可以出现在装置组装工艺中的半导体器件的劣化可以被防止或减少。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种半导体器件包括半导体封装和标记。半导体封装包括包含热从其产生的热点的半导体芯片、以及包覆半导体芯片的模制层。标记被布置在半导体封装上。标记形成在半导体封装的与热点的位置对应的区域中。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种半导体器件包括半导体封装、装置组装件和标记。半导体封装包括包含热从其产生的热点的半导体芯片、以及包覆半导体芯片的模制层。装置组装件与半导体封装组装。标记被布置在半导体封装的表面上。半导体封装的该表面面向装置组装件，并且标记被形成在半导体封装的与热点的位置对应的区域中。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种半导体器件包括安装在板上的半导体封装、布置在半导体封装上的装置框架、布置在半导体封装和装置框架之间的散热层、以及标记。半导体封装包括包含热从其产生的热点的半导体芯片、以及包覆半导体芯片且具有邻近于板的底表面的模制层。标记被布置在半导体封装的表面上。半导体封装的该表面面向散热层，标记被形成在半导体封装的与热点的位置对应的区域中。根据本专利技术构思的示例实施方式，一种半导体器件包括半导体封装、标记和热界面材料(TIM)层。半导体封装包括包含热点的半导体芯片、以及包覆半导体芯片的模制层。热点置于半导体芯片的第一部分，相对于半导体芯片的其余部分，大量的热从半导体芯片的第一部分产生。标记被布置在半导体封装的上表面上，并且与热点基本对准。TIM层被布置在标记上，并且TIM层的中心与标记基本对准。附图说明通过参考附图详细描述本专利技术构思的示例实施方式，本专利技术构思的以上及其它特征将变得更加明显，其中：图1A是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的半导体器件的一示例的透视图。图1B是根据本专利技术构思的一示例实施方式的图1A的半导体器件的剖视图。图1C是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的图1A的半导体器件的一示例的透视图。图2A是透视图，所述透视图示出其中设置根据本专利技术构思的一示例实施方式的半导体封装的电子产品。图2B是根据本专利技术构思的一示例实施方式的图2A的电子产品的剖视图。图3是示出根据一比较示例的半导体器件的透视图。图4是曲线图，所述曲线图示出图2A和3的半导体封装的温度的随时间的变化的示例。图5A是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的半导体器件的透视图。图5B是根据本专利技术构思的一示例实施方式的图5A的半导体器件的剖视图。图5C到5G是示出根据本专利技术构思的示例实施方式的图5B的半导体器件的示例的剖视图。图6A是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的半导体器件的透视图。图6B是根据本专利技术构思的一示例实施方式的图6A的半导体器件的剖视图。图6C到6E是示出根据本专利技术构思的示例实施方式的图6B的半导体器件的示例的剖视图。具体实施方式图1A是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的半导体器件的一示例的透视图。图1B是根据本专利技术构思的一示例实施方式的图1A的半导体器件的剖视图。图1C是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的图1A的半导体器件的一示例的透视图。参考图1A，半导体封装100被设置在板90上。板90可以例如被用作便携式电子产品(例如智能电话、平板PC等)或存储器模块的基板/板。一个或更多个标记110可以形成在半导体封装100的顶表面100s上。所述一个或更多个标记110可以被雕刻在半导体封装100的顶表面100s上。如以下进一步描述那样，所述一个或更多个标记110可以包含与半导体芯片105的热点106有关的信息(例如热信息)。在示例实施方式中，散热层200(例如热界面材料(TIM))被形成为覆盖半导体封装100的顶表面100s的至少一部分。散热层200可以例如以膜的形式设置。根据示例实施方式，散热层200的面积/尺寸可以约等于半导体封装100的顶表面100s或不同于半导体封装100的顶表面100s。也就是，尽管散热层200在图1A中被示为具有小于半导体封装100的顶表面100s的面积，但是本专利技术构思的示例实施方式不限于此。例如，在一示例实施方式中，散热层200可以具有约等于或大于半导体封装100的顶表面100s的面积/尺寸。参考图1B，在一示例实施方式中，半导体封装100安装在封装基板101(例如印刷电路板(PCB))上，并且包括以模制层107覆盖的至少一个半导体芯片105。半导体芯片105可以按例如倒装芯片键合方式被安装在封装基板101上。例如，半导体芯片105可以以它的有源表面被翻转从而面向封装基板101的方式设置在封装基板101上，并且半导体芯片105可以通过一个或更多个凸点103被电连接到封装基板101。在示例实施方式中，模制层107被形成为足够厚以完全覆盖半导体芯片105。模制层107的顶表面可以相当于半导体封装100的顶表面100s。标记110可以被雕刻在模制层107的顶表面上以具有视觉可见的形状。模制层包括邻近于板90的底表面。半导体芯片105可以包括例如存储电路、逻辑电路或它们的任意组合。例如，半导体芯片105可以包括应用处理器(AP)。在示例实施方式中，半导体芯片105可以通过至少一条键合引线或形成在半导体芯片105中的至少一个贯通电极被电连接到封装基板101。半导体封装100可以包括单个半导体芯片105或多个半导体芯片105(例如半导体封装100可以具有多芯片封装结构)。参考图1A和1B，半导体芯片105可以具有至少一个热点106。热点106是半导体芯片105的相对于半导体芯片105的其余部分产生大量热的部分。所述至少一个标记110被设置在半导体封装100的顶表面100s上以指示与热点106相应的位置。也就是，所述至少一个标记110被形成在半导体封装100的与半导体芯片105上的热点106的位置相应的区域中。因此，标记110指示与半导体封装100的热点106相应的区域，热点106产生相对大量的热。当散热层200被附贴至半导体封装100的顶表面100s时，标记110允许散热层200被附贴到半导体封装100的适当的位置。标记110可以包括能被视觉感知的二维(2D)或三维(3D)视觉图样或图案。例如，标记110可以以符号或数字的形式设置，所述符号和数字分别在图1A和1C中示出，并且标记110可以包含与热点106相关的热信息。散热层200可以被设置在包含标记110的覆盖区域200a上，并且可以被附贴到半导体封装100的顶表面100s。作为一示例，覆盖区域200a可以以其中心基本上与标记110对准的方式布置。也就是，覆盖区域200a可以被布置以致于它的中心与标记110精确对准或者几乎与标记110精确对准。然而，本专利技术构思的示例实施方式不限于此。因此，覆盖区域200a重叠标记110。覆盖区域200a可以包括超出半导体封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体封装，包括：包括热自其产生的热点的半导体芯片；以及包覆所述半导体芯片的模制层，其中标记被布置在所述半导体封装上，并且形成在所述半导体封装的与所述热点的位置对应的区域中。

【技术特征摘要】
2015.10.16 KR 10-2015-01448901.一种半导体器件，包括：半导体封装，包括：包括热自其产生的热点的半导体芯片；以及包覆所述半导体芯片的模制层，其中标记被布置在所述半导体封装上，并且形成在所述半导体封装的与所述热点的位置对应的区域中。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述标记包括雕刻在所述模制层的表面上的符号或数字。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述标记包括布置在所述模制层中的导热层，并且所述导热层的表面被所述模制层暴露。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述导热层与所述半导体芯片间隔开。5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述导热层接触所述半导体芯片的一部分。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体封装进一步包括：布置在所述模制层上的散热板，其中所述散热板包括从所述散热板突出的扩展部分，所述标记包括所述扩展部分。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述标记包括形成在所述模制层的上表面内的凹陷。8.一种半导体器件，包括：半导体封装，包括：包含热自其产生的热点的半导体芯片；以及包覆所述半导体芯片的模制层；以及与所述半导体封装组装的装置组装件，其中，标记被布置在所述半导体封装的表面上，所述半导体封装的所述表面面向所述装置组装件，并且所述标记形成在所述半导体封装的与所述热点的位置对应的区域中。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述装置组装件包括以下中的至少一个：布置在所述半导体封装的所述表面上的装置框架；以及布置在所述半导体封装的所述表面和所述装置框架之间的散热层。10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述标记包括雕刻在所述模制层的上表面的一部分上的二维(2D)图样或三维(3D)图样，所述散热层被布置在所述模制层的所述上表面上并且覆盖所述标记。11.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述标记包括填充形成在所述模制层的表面中的凹陷的导热层，所述散热层被布置在所述模制层的所述表面上并且覆盖所述导热层。12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述凹陷和所述导热层与所述半导体芯片间隔开。13.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述凹陷暴露所述半导体芯片的一部分，所述导热层接触所述半导体芯片的由所述凹陷暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣得，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR