一种有机铟化合物及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机铟化合物，其结构简式为In(OOCCH3)2OH，同时公开了一种制备有机铟化合物的方法，用粉状氢氧化铟和冰乙酸作为原料，在加热搅拌条件下反应，形成混合物，再进行固液分离，得到有机铟化合物In(OOCCH3)2OH。本发明专利技术提供的有机铟化合物In(OOCCH3)2OH，性质稳定，制备过程简单，设备要求低，产率高，且制备的In(OOCCH3)2OH产品纯度高，成本低廉。

Organic indium compound and preparation method thereof

The invention discloses an organic indium compound, its simple structure type In (OOCCH3) 2OH, and discloses a method for preparing organic indium compound powder, indium hydroxide and acetic acid as raw material, forming a mixture of heating and stirring reaction, and solid-liquid separation, organic indium compound In (OOCCH3) 2OH. The organic indium compound In (OOCCH3) 2OH provided by the invention has the advantages of stable property, simple preparation process, low equipment requirement and high yield, and the product of the In (OOCCH3) 2OH prepared by the invention has high purity and low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种有机铟化合物及其制备方法
本专利技术涉及一种有机金属化合物及其制备方法领域，更具体的，本专利技术涉及一种有机铟化合物及其制备方法。
技术介绍
含铟量子点是一种零维半导体纳米晶体，其直径小于10nm，由于量子点的尺寸很小，接近相应半导体体相材料的电子-空穴对的波尔半径，受激发时产生的空穴和电子被限制在狭小的三维空间，可表现出量子限制效应。这种现象使量子点具有量子化的导带和价带，量子化的能带能量导致分立的、依赖于量子点尺寸的发射光谱，从而可获得一种可精确调节荧光发射波长的发射体，因此含铟量子点可以作为发光材料使用。含铟量子点合成主要采用高温加热法，由于早期量子点的研究中普遍采用有机铟前驱体作为铟源，这种物质活性高，价格昂贵，危险高。因此需要寻找一种简单易控的铟源。目前研究者较多使用乙酸铟、三甲基铟等作为有机铟源。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种简单易控、性质稳定的有机铟化合物，同时提供了一种该有机铟化合物的制备方法。本专利技术的技术方案：一种有机铟化合物，其结构简式为In(OOCCH3)2OH。一种有机铟化合物的制备方法，用粉状氢氧化铟和冰乙酸作为原料，在加热搅拌条件下反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机铟化合物，其特征在于：所述有机铟化合物的结构简式为In(OOCCH3)2OH。

【技术特征摘要】
1.一种有机铟化合物，其特征在于：所述有机铟化合物的结构简式为In(OOCCH3)2OH。2.一种如权利要求1所述的有机铟化合物的制备方法，其特征在于：用粉状氢氧化铟和冰乙酸作为原料，在加热搅拌条件下反应，形成混合物，再进行固液分离，得到有机铟化合物In(OOCCH3)2OH。3.根据权利要求2所述的有机铟化合物的制备方法，其特征在于：所述氢氧化铟与冰乙酸的摩尔比为1：（3~10）。4.根据权利要求2所述的有机铟化合物的制备方法，其特征在于：所述加热的温度为60~110℃，搅拌反应1~3h。5.根据权利要求2所述的有机铟化合物的制备方法，其特征在于：所述粉状氢氧化铟的粒度不大于0.300mm。6.根据权利要求2至5...

【专利技术属性】
技术研发人员：马永博，朱刘，薄福丽，刘运连，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44