一种倒装垂直腔半导体激光器结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种倒装垂直腔半导体激光器结构
本专利技术涉及的是半导体光电子学
，具体涉及一种具有特别结构的倒装垂直腔半导体激光器。
技术介绍
目前对于倒装的垂直腔半导体发射激光器系统中，大部分通过氧化物限制来达到控制P面电流注入窗口大小的目的，同时需要在底面出光面进行双面光刻以形成对应的出光窗口，并在出光窗口上制备增透膜；而且在实际应用中，对于很多特殊的实例比如3D相机等应用来说，考虑到人眼安全，垂直腔半导体发射激光器的输出功率需要非常小，对应的出光孔径非常小，而传统的通过氧化物限制来达到控制电流注入的方法，在实际操作中很难将发光孔经控制的特别小，工艺难度太大。然为了解决这一难题，提出一种具有小孔径垂直腔半导体激光器结构，光刻出适当的孔径，直接制作ZnO透明电极，不仅代替了氧化物限制控制发光孔经，能够实现小出光孔径，而且ZnO透明电极既是电极又是增透膜，无需双面光刻，工艺容易实现。现有的应用中有很多使用的是ITO透明电极，但是ITO透明电极有很多缺点，比如化学性质不稳定、热稳定性低、有毒、材料稀有和花费昂贵等，而用ZnO来制作透明电极相对于来说就拥有很多优势，例如电极均...
【技术保护点】
一种倒装垂直腔半导体激光器结构，其特征在于：包括键合到衬底上的P面电极(1)、P型DBR(2)、有源区(3)、N型DBR(4)和出光处代替增透膜和电极的ZnO透明电极(5)、SiO
【技术特征摘要】
1.一种倒装垂直腔半导体激光器结构，其特征在于：包括键合到衬底上的P面电极(1)、P型DBR(2)、有源区(3)、N型DBR(4)和出光处代替增透膜和电极的ZnO透明电极(5)、SiO2(8)和金属电极(9)。2.按照权利要求1所述的结构，其特征在于：在ZnO透明电极(5)出光处对应的端面B无增透膜；P面电极(1)所在端面A和端面B...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔碧峰，王阳，房天啸，郝帅，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
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