一种垂直腔面发射激光器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：层叠设置的有源层、功能辅助层和P型DBR层，功能辅助层和P型DBR层构成台面结构；P型DBR层设置有沟道；台面结构被沟道分割成多个次台面结构；各次台面结构的上端设置有与次台面结构一一对应的P面电极，这样利用沟道可以形成多个波导，使载流子分布和波导联系起来，进而实现单个电极独立控制单个模式输出，多个电极混合控制少数模式输出。本发明专利技术还公开了一种垂直腔面发射激光器的制作方法，可以直接在台面结构上刻蚀形成沟道，实现了新的模式控制方式，且由于所有模式都在一个台面上输出，可以直接与光纤耦合，省去复用器的使用。

Vertical cavity surface emitting laser and manufacturing method thereof

The invention discloses a vertical cavity surface emitting lasers, including stacked active layer, function layer and the P type DBR layer, function layer and the P type DBR layer of a mesa structure; P type DBR layer is provided with a groove; the table structure is divided into a plurality of sub channel table top structure; the table structure is provided with a P electrode surface corresponding with mesa structure, so that the use of multiple channel waveguide is formed, the link carrier distribution and waveguide, so as to realize the independent control of the output of single mode single electrode, a plurality of electrodes a hybrid control mode output. The invention also discloses a method for manufacturing a vertical cavity surface emitting laser etching, can be directly in the mesa structure formed on the channel, the mode of new ways to control, and because of all the models output in a table, can be directly coupled with fiber, eliminating the use of multiplexer.

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
本专利技术涉及半导体激光器领域，特别是涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，简称VCSEL)是一种激光发射方向垂直于芯片表面的新型半导体激光器。相比于边发射激光器(EdgeemittingLaser，简称EEL)，VCSEL具有许多优点，包括阈值低、稳定性好、寿命长、发散角小、光斑圆、光纤耦合效率高、调制速率高、易于二维集成等。因此，VCSEL已作为主要的光源器件，广泛应用于各种高效高速光通信网络中。伴随社会的发展，多种数据通信业务大量涌现，这些新业务对光通信网络速率和带宽有更高的需求。为了应对带宽的爆炸式增长，复用技术的使用是光数据网络的重要方案，其中波分复用(WavelengthDivisionMultiplexing，简称WDM)技术对光网络的带宽提升起到了主要的推动作用。在市场需求和技术进步的驱动下，光纤通讯网经历了2.5G、10G等不同发展阶段，而今，100G技术已经成为主导，400G也开始逐步铺开。网络带宽的快速提升离不开光通信技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直腔面发射激光器，包括：层叠设置的有源层、功能辅助层和P型分布式布拉格反射镜层，所述功能辅助层和P型分布式布拉格反射镜层构成台面结构；其特征在于，所述P型分布式布拉格反射镜层设置有沟道；所述台面结构被所述沟道分割成多个次台面结构；各所述次台面结构的上端设置有与所述次台面结构一一对应的P面电极。

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，包括：层叠设置的有源层、功能辅助层和P型分布式布拉格反射镜层，所述功能辅助层和P型分布式布拉格反射镜层构成台面结构；其特征在于，所述P型分布式布拉格反射镜层设置有沟道；所述台面结构被所述沟道分割成多个次台面结构；各所述次台面结构的上端设置有与所述次台面结构一一对应的P面电极。2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P面电极包覆部分所述P型分布式布拉格反射镜层和部分所述有源层。3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，各所述次台面结构的大小和形状相同。4.如权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，各所述次台面结构的上端刻蚀有表面浮雕。5.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述台面结构为圆柱形台面结构。6.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括：在所述次台面结构和所述P面电极之间设置有介质薄膜电流限制层。7.如权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星，钟础宇，张建伟，宁永强，王立军，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22