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一种倒装垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种结构的垂直腔半导体激光器，包括键合到衬底上的P面电极、P型DBR、限制层、有源区、限制层、N型DBR、ZnO透明电极、SiO...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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