半导体装置和制作半导体装置的方法制造方法及图纸

本公开提出一种半导体装置和制作半导体装置的方法。该装置包括基板，该基板包括主表面和背面。该装置还包括介电分隔，该介电分隔用于将基板的第一部分与基板的第二部分电隔离。介电分隔从主表面延伸穿过基板到背面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制作半导体装置的方法
本说明书涉及半导体装置和制作半导体装置的方法。
技术介绍
半导体装置的持续微型化已产生以并无不利影响装置的电气性能的方式微型化装置封装的需求。在分立装置领域中，这种趋势已产生芯片规模封装(CSP)。这种类型的封装一般包括具有主表面和背面的半导体管芯。该装置的电接触被设置在该主表面上。通过将封装的主表面面向下放置在载体上，该封装可以表面安装在载体例如印刷电路上。这可允许在主表面上的接触被焊接到在载体上的对应接触。芯片规模封装可以使用极少的模制化合物(封装剂)或不使用模制化合物(封装剂)。芯片规模封装(CSP)尤其是倒装芯片封装可以提供具有相对小的封装大小的相对大的基板容积。在一些CSP中，几乎100％的封装体积是硅。
技术实现思路
在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本公开的方面。来自从属权利要求的特征的组合可以视情况与独立权利要求的特征进行组合，而不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样进行组合。根据本公开的方面，提供半导体装置，该半导体装置包括：基板，该基板包括主表面和背面；一个或多个电接触，该一个或多个电接触位于主表面上；以及介电分隔，该介电分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括主表面和背面；一个或多个电接触，所述一个或多个电接触位于所述主表面上；以及介电分隔，所述介电分隔用于将所述基板的第一部分与所述基板的第二部分电隔离，其中所述介电分隔从所述主表面延伸穿过所述基板到所述背面。

【技术特征摘要】
2015.12.15 EP 15200095.61.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括主表面和背面；一个或多个电接触，所述一个或多个电接触位于所述主表面上；以及介电分隔，所述介电分隔用于将所述基板的第一部分与所述基板的第二部分电隔离，其中所述介电分隔从所述主表面延伸穿过所述基板到所述背面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基板的所述第一部分包括所述半导体装置的有源区域，并且其中所述基板的所述第二部分包括在所述主表面和所述背面之间延伸的所述基板的侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基板的所述第一部分包括所述半导体装置的第一有源区域，并且其中所述基板的所述第二部分包括所述半导体装置的第二有源区域。4.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述介电分隔被成形以限定所述基板中的至少一个联锁部分，其中所述联锁部分包括位于所述介电分隔的一侧上的锁定构件和位于所述介电分隔的相对侧上的开口，其中所述锁定构件被收容在所述开口内，以抑制所述介电分隔电隔离的所述基板的所述部分的物理分离。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个联锁部分的所述锁定构件包括颈部部分和头部分，其中所述开口包括嘴部分，所述锁定构件的所述颈部部分被收容在所述嘴部分内，并且其中当从所述主表面上方查看时，所述锁定构件的所述头部分至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯马丁·里特，约阿希姆·乌茨格，法兰克·伯迈斯特，霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯，约亨·韦南茨，雷内·明茨拉夫，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL