一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体集成技术领域，公开了一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，制备方法包括：在第二硅层上制备锗层；制备隔离层，隔离层包括n个交替层，每个交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层；隔离层位于第一硅层和锗层之间。结构包括：第一硅层；锗层；第二硅层，第二硅层位于锗层的底部；隔离层，隔离层位于第一硅层和锗层之间；隔离层包括n个交替层，每个交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层。本发明专利技术解决了现有技术中采用晶圆键合的方法形成绝缘体上锗的过程中隔离层的层厚影响键合的质量的问题，达到了获得高质量的键合晶圆的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体集成
，尤其涉及一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法。
技术介绍
随着MOS器件的特征尺寸已经进入到纳米量级，传统的SiO2/Si系统已经不能满足集成电路发展的要求。而高k栅介质的使用在降低栅极漏电的同时也减小了沟道载流子迁移率，使器件驱动能力下降。因此，需要采用高迁移率的沟道材料和新的器件结构来提高器件的综合性能。其中，绝缘体上锗(GeOI)衬底既具有高迁移率，又具备静电完整性，因此，成为近几年人们研究的热点之一。采用晶圆键合的方法形成绝缘体上锗(GeOI)的过程中，隔离层的层厚存在一个域值，如果隔离层的层厚低于这个域值厚度就会影响键合的质量，在后续的减薄或者化学机械抛光(CMP)表面处理过程中引起锗薄膜的大量脱落。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，解决了现有技术中采用晶圆键合的方法形成绝缘体上锗的过程中隔离层的层厚影响键合的质量的问题。本申请实施例提供一种绝缘体上锗衬底的制备方法，包括：在第二硅层上制备锗层；制备隔离层，所述隔离层包括n个交替层，其中，n为大于1的整数，每个所述交替层包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，包括：在第二硅层上制备锗层；制备隔离层，所述隔离层包括n个交替层，其中，n为大于1的整数，每个所述交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层；所述隔离层位于第一硅层和所述锗层之间。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，包括：在第二硅层上制备锗层；制备隔离层，所述隔离层包括n个交替层，其中，n为大于1的整数，每个所述交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层；所述隔离层位于第一硅层和所述锗层之间。2.根据权利要求1所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，所述绝缘层采用的介质材料为SiO2、SiN、SiON中的一种；所述高k介质为氧化铝、氧化铪中的一种。3.根据权利要求1所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，在所述第一硅层上制备所述隔离层；将所述隔离层和所述锗层键合。4.根据权利要求3所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，所述交替层的制备为：制备所述绝缘层；在所述绝缘层上制备所述高k介质层。5.根据权利要求1所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，在所述锗层上制备所述隔离层；将所述隔离层和所述第一硅层键合。6.根据权利要求5所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，所述交替层的制备为：制备所述高k介质层；在所述高k介质层上制备所述绝缘层。7.根据权利要求1所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，在所述第一硅层上制备s个所述交替层，所述s个交替层构成第一交替结构；在所述锗层上制备t个所述交替层，所述t个交替层构成第二交替结构；将所述第一交替接结构和所述第二交替结构键合，键合后的所述s个交替层和所述t个交替层共同构成所述隔离层，s和t的总和为n。8.根据权利要求7所述的绝缘体上锗衬底的制备方法，其特征在于，所述第一交替结构中的所述交替层的制备为：制备所述绝缘层；在所述绝缘层上制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂磊，亨利·雷德森，李俊峰，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11