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本发明属于半导体集成技术领域，公开了一种绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，制备方法包括：在第二硅层上制备锗层；制备隔离层，隔离层包括n个交替层，每个交替层包括一层绝缘层和一层高k介质层；隔离层位于第一硅层和锗层之间。结构包括：第一硅层；锗层；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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