一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种TFT、其驱动方法、阵列基板及显示装置，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与有源层电性连接的源极和漏极；设置在有源层远离第一栅极的一侧且与有源层绝缘的第二栅极；第二栅极包括至少两条子栅极；各子栅极在衬底基板上的正投影与TFT的沟道区域在衬底基板上的正投影之间具有交叠区域。本发明专利技术利用可以控制整个沟道区域的第一栅极和可以控制部分沟道区域的第二栅极，使TFT的沟道区域的能带状态维持在一个相对稳定的状态，进而使TFT的开关特性维持稳定，有效提高了TFT的信赖性，保证了TFT具有良好的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤指一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，在显示面板的生产中，薄膜晶体管(Thin-filmTransistor，TFT)在阵列基板上起到具有十分重要的作用。通常薄膜晶体管的具体结构包括：设置在衬底基板上的栅极、设置在栅极上且与栅极绝缘的有源层、相对而置且分别与有源层电性连接的源极和漏极，当通过安装在衬底基板中的电路将电流施加到栅极时，加载到源极的电流通过有源层传输到漏极，驱动显示器件的像素单元，从而显示图像。显示面板在工作时，栅线驱动装置是依序逐行打开栅线开关的，因此在大部分时间里某一行的栅线都处于关断状态，即处于负偏压之下，在长时间利用该栅线对TFT进行驱动后，该TFT的阈值电压容易发生偏移，从而影响该TFT的工作稳定性，降低信赖性。另外，在氧化物薄膜晶体管(OxideTFT)工作过程中，通常采用具有高载流子迁移率的氧化物半导体作为有源层的材料，而现有的TFT结构中，由金属材料构成的栅极只能阻挡有源层一侧的光线，由于背光源、外界光等光线能够在源漏极界面发生反射，即在源漏极与栅极之间发生反射，当反射光照射到氧化物有源层时，由于氧化物有源层采用的材料不太稳定，受光照会产生光电流，使得OxideTFT导通时的阈值电压发生偏移，OxideTFT的信赖性降低，电性能不稳定，影响显示质量。因此，如何解决TFT信赖性差，电性能不稳定的问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置，可以有效提高了薄膜晶体管的信赖性，保证了薄膜晶体管具有良好的电性能。因此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与所述第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极；还包括：设置在所述有源层远离所述第一栅极的一侧且与所述有源层绝缘的第二栅极；所述第二栅极包括至少两条子栅极；各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投影之间具有交叠区域。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，各所述子栅极的延伸方向与所述源极指向漏极的方向相互交叉。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反；在所述第一栅极未加载开启信号的相邻两个时间段内，同一所述子栅极加载的信号极性相反。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第二栅极包括多条成对排列的子栅极；在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，各所述子栅极加载的信号正负极性交替排列。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投影之间的交叠区域的面积均相同。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，各条所述子栅极沿垂直于所述源极指向漏极的的长度均大于或等于所述沟道区域的宽度。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，各条所述子栅极之间的间距大于或等于1μm。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，各条所述子栅极等间距分布。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述有源层的材料为氧化物半导体。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第一栅极位于有源层的上方，所述第二栅极位于有源层的下方；或所述第一栅极位于有源层的下方，所述第二栅极位于有源层的上方。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的驱动方法，包括：在第一栅极加载开启信号的各时间段内，第二栅极中的各子栅极无信号加载；在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反；且在所述第一栅极未加载开启信号的相邻两个时间段内，同一所述子栅极加载的信号极性相反。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的驱动方法，在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反，包括：在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，各所述子栅极加载的信号正负极性交替排列。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与有源层电性连接的源极和漏极；设置在有源层远离第一栅极的一侧且与有源层绝缘的第二栅极；第二栅极包括至少两条子栅极；各子栅极在衬底基板上的正投影与薄膜晶体管的沟道区域在衬底基板上的正投影之间具有交叠区域。由于第一栅极可以控制整个沟道区域，第二栅极可以部分沟道区域，本专利技术利用第一栅极和第二栅极可以使薄膜晶体管的沟道区域的能带状态维持在一个相对稳定的状态，进而使薄膜晶体管的开关特性维持稳定，有效提高了薄膜晶体管的信赖性，保证了薄膜晶体管具有良好的电性能。附图说明图1和图2分别为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图3a和图3b分别为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的工作过程能带示意图；图4为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的驱动方法流程图。附图标记说明：1、衬底基板；2、第一栅极；3、有源层；4、源极；5、漏极；6、第二栅极；61、第一子栅极；62、第二子栅极；01、第一子栅极控制的部分沟道区域；02、第二子栅极控制的部分沟道区域；03、第一栅极控制的整个沟道区域；04、载流子。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的薄膜晶体管、其驱动方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映薄膜晶体管的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，如图1和图2所示，包括：设置在衬底基板1上的第一栅极2，与第一栅极绝缘的有源层3，以及相对而置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与所述第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极；其特征在于，还包括：设置在所述有源层远离所述第一栅极的一侧且与所述有源层绝缘的第二栅极；所述第二栅极包括至少两条子栅极；各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投影之间具有交叠区域。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与所述第一
栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏
极；其特征在于，还包括：
设置在所述有源层远离所述第一栅极的一侧且与所述有源层绝缘的第二
栅极；所述第二栅极包括至少两条子栅极；
各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域
在所述衬底基板上的正投影之间具有交叠区域。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各所述子栅极的延伸
方向与所述源极指向漏极的方向相互交叉。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述第一栅极未加
载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反；
在所述第一栅极未加载开启信号的相邻两个时间段内，同一所述子栅极加
载的信号极性相反。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极包括多
条成对排列的子栅极；
在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，各所述子栅极加载的信号
正负极性交替排列。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各所述子栅极在所述
衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投
影之间的交叠区域的面积均相同。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各条所述子栅极沿垂
直于所述源极指向漏极的方向的长度均大于或等于所述沟道区域的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡合合，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11